[發明專利]應用于高頻三極管中L型側墻的制作方法

有效

• 申請號: 201610327208.3
• 申請日: 2016-05-17
• 公開（公告）號: CN107393823B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 石金成;馬萬里;高振杰;李杰英;崔永軍
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/28;H01L21/76;H01L21/266;H01L21/308;H01L21/316;H01L21/033
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

本發明提供一種應用于高頻三極管中L型側墻的制作方法，包括：在N型外延層上形成Ploy層，在Ploy層上進行P+注入形成P+Ploy層并在其上形成第一LP TEOS層；依次對第一LP TEOS層和P+Ploy層進行刻蝕；在N型外延層上且在P+Ploy層側面形成氧化層，同時在N型外延層進行P+擴散形成P+擴散層；在N型外延層內且在所述氧化層下進行基區注入以形成基區層；在氧化層和第一LP TEOS層上形成LP SIN層；在LP SIN層上形成第二LP TEOS層；對第二LP TEOS層各向異性回刻，形成SIO₂側墻；對LP SIN層中部區域不完全濕法腐蝕；對SIO₂側墻完全濕法腐蝕；對中部區域剩余的LP SIN層完全濕法腐蝕；對中部區域對應的氧化層完全濕法腐蝕。本發明所述方法制作的L型側墻并不會高出LPTEOS層，不會對芯片表面平坦化造成負面影響。

技術領域

本發明涉及半導體集成電路制造領域，尤其涉及一種應用于高頻三極管中L型側墻的制作方法。

背景技術

高頻三極管區別于普通三極管的特征主要是其晶體管特征尺寸小、擊穿電壓低、特征頻率極高，制作工藝難度大。其一般應用在VHF、UHF、CATV、無線遙控、射頻模塊等高頻寬帶低噪聲放大器上，這些使用場合大都用在低電壓、小信號、小電流、低噪聲條件下。

為達到最高的特征頻率，必須盡可能降低器件的寄生電容，盡可能將其發射區及基區結深做淺。傳統的高頻三極管通常采用多晶發射極工藝，減小發射極結深，提升頻率。為使性能最優，最前沿的高頻三極管對基極也采用多晶工藝處理，采用這種工藝在硅襯底上制作的高頻三極管，特征頻率可以達到25G。而多晶工藝中較為關鍵的是L型側墻的制作技術，目前L型側墻制作時，尤其在刻蝕的時候易損傷到下方硅襯底，造成漏電、Beta異常，以及一系列的可靠性問題。

發明內容

本發明提供一種應用于高頻三極管中L型側墻的制作方法，用于解決現有技術中L型側墻制作時在刻蝕的時候易損傷到基區層，造成漏電、Beta異常，以及一系列的可靠性問題的問題。

本發明提供一種應用于高頻三極管中L型側墻的制作方法，包括：

在N型外延層上形成Ploy層，在所述Ploy層上進行P+注入形成P+Ploy層，在所述P+Ploy層上形成第一LP TEOS層；

依次對第一LP TEOS層和P+Ploy層進行刻蝕；

在所述N型外延層上且在所述P+Ploy層側面形成氧化層，同時在所述N型外延層進行P+擴散形成P+擴散層；

在所述N型外延層內且在所述氧化層下進行基區注入以形成基區層；

在所述氧化層和所述第一LP TEOS層上形成LP SIN層；

在所述LP SIN層上形成第二LP TEOS層；

對所述第二LP TEOS層各向異性回刻，形成SIO2側墻；

對所述LP SIN層中部區域不完全濕法腐蝕；

對所述SIO2側墻完全濕法腐蝕；

對中部區域剩余的LP SIN層完全濕法腐蝕；

對所述中部區域對應的氧化層完全濕法腐蝕。

優選地，在所述N型外延層上且在所述P+Ploy層側面形成氧化層的氧化條件為：氧化溫度在1000℃-1100℃之間，氧化層厚度在30A-300A之間。

優選地，所述LP SIN層的厚度在400A-1500A之間。

優選地，所述第二LP TEOS層的厚度在2000A-6000A之間。