[發明專利]一種陣列碳納米薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201610326454.7 | 申請日： | 2016-05-17 |
| 公開（公告）號： | CN107381539B | 公開（公告）日： | 2019-10-25 |
| 發明（設計）人： | 張偉;吉小超;于鶴龍;王紅美;杜軍;郭蕾 | 申請（專利權）人： | 北京睿曼科技有限公司;河北京津冀再制造產業技術研究有限公司;中國人民解放軍裝甲兵工程學院 |
| 主分類號： | C01B32/162 | 分類號： | C01B32/162 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 趙青朵 |
| 地址： | 100043 北京市石景山*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 陣列 納米 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種陣列碳納米管薄膜的制備方法，包括以下步驟：
A)，將基底置于PECVD設備的腔體中負極板上的金屬網罩中，金屬網罩上方放置疊加的兩塊催化劑金屬板；
B)，在PEVCD設備的腔體中通入反應氣體，加熱后接通電源，利用催化劑板間的空心陰極效應濺射在基底表面得到催化劑薄膜；
C)，將PEVCD設備的腔體加熱后通入碳源和載氣，接通電源，反應后在基底表面得到陣列碳納米管薄膜；
步驟A)中所述反應氣體為的氫氣和氬氣，所述反應溫度為300～500℃，所述電源的功率為500～1000W；
所述氫氣的流量為30～80sccm，所述氬氣的流量為30～80sccm。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述兩塊催化劑金屬板之間的距離為1～5cm，所述催化劑金屬板的材質為鐵、鈷、鎳或復合金屬材料。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟C)中所述碳源包括甲烷、乙炔和正丁烷中的一種或多種，所述碳源的流量為5～50sccm。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述載氣為氫氣和氬氣，所述氫氣的流量為30～80sccm，所述氬氣的流量為30～80sccm。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟C)中所述反應的溫度為350～500℃，所述電源的功率為10～200W，所述反應的時間為10～100min。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述基底為具有光滑表面的基底，優選為硅片、玻璃或表面拋光后的金屬。
7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟B)中所述催化劑薄膜的厚度為1～50nm。
8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金屬網罩為圓筒狀不銹鋼網罩或圓筒狀銅網罩。
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