[發明專利]具有混合晶體管的主動矩陣有機發光二極管的驅動電路

有效

• 申請號: 201610325979.9
• 申請日: 2016-05-17
• 公開（公告）號: CN106847183B
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發明（設計）人: 陳聯祥;郭拱辰;曾名駿;周政旭;李冠鋒
• 申請（專利權）人: 群創光電股份有限公司
• 主分類號: G09G3/3233
• 分類號: G09G3/3233
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

本發明提出一種具有混合晶體管的主動矩陣有機發光二極管的驅動電路，包括一驅動電流單元及一重置補償及發光控制電路。該驅動電流單元包含一第一晶體管及一第二晶體管，其中，該第一晶體管及該第二晶體管為低溫多晶硅晶體管。該重置補償及發光控制電路耦合至該驅動電流單元，該重置補償及發光控制電路包含一第三晶體管。該第三晶體管連接至該第一晶體管的一控制端，其中，該第三晶體管為一氧化物半導體晶體管。

技術領域

本發明關于液晶顯示設備的技術領域，尤指一種具有混合晶體管的主動矩陣有機發光二極管的驅動電路。

背景技術

主動矩陣有機發光二極管(AMOLED)像素的驅動晶體管依背板工藝技術可區分為P-type及N-type驅動型式。圖1為現有2T1C(two transistors one capacitor)的P-type驅動晶體管的像素電路，其是搭配一般(Normal)OLED組件。P-type驅動晶體管大都應用低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon、LTPS)背板技術。

P-type驅動晶體管PTFT_dri的柵源極電壓(Vgs)所對應的電壓為數據電位及高電位ELVDD的電壓，其中高電位ELVDD為一固定相對高電位。對于現有P-type驅動晶體管PTFT_dri而言，其會有驅動晶體管的臨界電壓偏移(threshold voltage deviation)的現象。也即，LTPS的P-type驅動晶體管的臨界電壓(threshold voltage，Vt)因多晶結晶工藝，容易造成區域性的Vt變異。也即對兩個尺寸相同的P-type驅動晶體管而言，當輸入同等驅動電壓時，卻無法輸出相同的電流，而造成亮度不均勻(mura)或均勻性不佳的問題。因此需對P-type驅動晶體管的臨界電壓(Vt)進行電壓補償。

由于進行電壓補償時，會使用多顆晶體管，導致電流消耗增加。而于高分辨率應用時(例如：FHD_1080RGB*1920、QHD_1440RGB*2560)，可能因驅動電路過多，而導致電流消耗過大，進而影響手持式裝置的使用時間。因此，現有的像素驅動電路仍有可以改善的空間。

發明內容

本發明的目的主要是在提供一具有混合晶體管的主動矩陣有機發光二極管的驅動電路，其于一驅動電流單元上的晶體管使用低溫多晶硅晶體管。低溫多晶硅晶體管于導通時可提供較大的電流，具有較大的驅動能力，以驅動一有機發光二極管。同時于一重置補償及發光控制電路中，部分晶體管改用氧化物半導體晶體管，以提供較低的漏電流，如此可消除驅動電流單元上的驅動晶體管的控制端的電壓變動，進而使該驅動晶體管可提供穩定的驅動電流至一有機發光二極管，而可改善現有技術亮度不均勻或均勻性不佳的問題。同時本發明提出兩個驅動電路的部分晶體管共享的架構，如此可大量減少晶體管的數目。

為達成前述的目的，本發明提出一種具有混合晶體管的主動矩陣有機發光二極管的驅動電路，包括一驅動電流單元、及一重置補償及發光控制電路。該驅動電流單元包含一第一晶體管及一第二晶體管，其中，該第一晶體管及該第二晶體管為低溫多晶硅晶體管。該重置補償及發光控制電路，耦合至該驅動電流單元，該重置補償及發光控制電路包含一第三晶體管，該第三晶體管連接至該第一晶體管的一控制端，其中，該第三晶體管為一氧化物半導體晶體管。

附圖說明

圖1為現有2T1C的P-type驅動晶體管的像素電路的示意圖；

圖2是本發明的一種具有混合晶體管的主動矩陣有機發光二極管的驅動電路的方塊圖；

圖3是本發明的一種具有混合晶體管的主動矩陣有機發光二極管的驅動電路的一實施例的電路圖；

圖4是本發明的圖3的運作示意圖；

圖5是本發明的一種具有混合晶體管的主動矩陣有機發光二極管的驅動電路的另一實施例的電路圖；

圖6是本發明的圖5的運作示意圖；