[發明專利]一種薄膜晶體管的制作方法

在審

• 申請號: 201610325163.6
• 申請日: 2016-05-17
• 公開（公告）號: CN105762081A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發明（設計）人: 葉江波
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

1.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

在一半導體襯底上依序沉積柵絕緣層和柵金屬層；

形成第一光阻圖案于所述柵金屬層上，蝕刻未被所述第一光阻圖案遮蓋住的所述柵金屬層，以形成柵電極，其中，所述柵電極的寬度小于所述第一光阻圖案的寬度；

以所述第一光阻圖案作為掩膜，對所述半導體襯底進行第一次離子植入，以形成預備源/漏極；

對所述第一光阻圖案的側壁進行蝕刻，以形成第二光阻圖案，其中，所述第二光阻圖案的寬度小于所述第一光阻圖案的寬度；

以所述第二光阻圖案作為掩膜，對所述半導體襯底進行第二次離子植入，以形成源/漏極，其中所述源/漏極包括一重摻雜漏極區和一輕摻雜漏極區。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，形成第一光阻圖案于所述柵金屬層上，包括：在所述柵金屬層上涂覆光刻膠，利用掩膜板對所述光刻膠進行曝光，顯影后形成第一光阻圖案。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，蝕刻未被所述第一光阻圖案遮蓋住的所述柵金屬層，包括：對所述柵金屬層進行第一次蝕刻，形成初步柵電極；對所述初步柵電極進行第二次蝕刻，形成柵電極。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述第一次蝕刻的速率大于所述第二次蝕刻的速率。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述第一次蝕刻使用氟化硫和氧氣。

6.根據權利要求4所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述第二次蝕刻使用氯氣和氧氣。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，使用氧氣對所述第一光阻圖案進行蝕刻。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述輕摻雜漏極區的寬度和所述第二光阻圖案與所述柵電極的寬度之中的較小值相等。

9.根據權利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述柵絕緣層為氮化硅層或者氧化硅層，或者氮化硅層和氧化硅層的混合。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述氮化硅層位于所述氧化硅層上面。