[發明專利]基于3D打印鐵磁層增強LED發光效率的方法有效
| 申請號: | 201610324296.1 | 申請日: | 2016-05-17 |
| 公開(公告)號: | CN105977348B | 公開(公告)日: | 2018-04-13 |
| 發明(設計)人: | 盧太平;朱亞丹;趙廣洲;許并社 | 申請(專利權)人: | 太原理工大學 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00;H01L33/14;B22F3/115 |
| 代理公司: | 太原科衛專利事務所(普通合伙)14100 | 代理人: | 張彩琴 |
| 地址: | 030025 *** | 國省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 打印 鐵磁層 增強 led 發光 效率 方法 | ||
技術領域
本發明屬于光電子器件領域,具體是基于3D打印鐵磁層增強LED發光效率的方法。
背景技術
發光二極管(Light Emitting Diode,LED)具有高亮度、低能耗、長壽命、響應速度快及環保等特點,廣泛地應用于室內及路燈照明、交通信號以及戶外顯示、汽車車燈照明、液晶背光源等多個領域。
目前藍光GaN 基LED的內量子效率可達80%以上,綠光LED的內量子效率僅為40%。 但大功率藍光LED芯片的外量子效率通常只有40%左右,而綠光更低。制約外量子效率提高的主要因素是GaN界面與空氣界面發生全內反射造成光的提取效率較低,這是因為 GaN 材料的折射率2.5,空氣的折射率1,GaN與空氣界面發生全反射的臨界角是23.6°,即有源區產生的光只有少數能夠逃逸出體材料。目前國內外主要采用分布布喇格反射層 (DBR) 、圖形化襯底(PSS)、表面粗化和光子晶體等技術來提高芯片的光提取效率。PSS對圖形的規則度要求很高,加之藍寶石襯底比較堅硬,無論是干法刻蝕還是濕法刻蝕工藝,在整片圖形的一致性和均勻性上都有一定的難度,且制作過程對設備和工藝要求很高,導致成本偏高。DBR和光子晶體制作工藝相對復雜、成本較高,而表面粗化技術采用干法刻蝕或者濕法腐蝕工藝,也存在很大挑戰。
3D打印技術具有工藝步驟簡單、成型速度快、精密度高的特點。將這一理想工藝技術應用于LED器件的制備工藝中能夠簡化生產工藝,提高生產效率。
發明內容
本發明為了解決傳統技術在提高藍綠光LED光提取效率方面存在的問題,提供了一種基于3D打印鐵磁層增強LED發光效率的方法。
本發明是通過以下技術方案實現的:基于3D打印鐵磁層增強LED發光效率的方法,
步驟一:采用MOCVD或MBE生長具有低溫成核層、非故意摻雜層、n-GaN層、多周期的InGaN/GaN有源層及p-GaN層的外延片;
步驟二:于外延片上刻蝕出n型層臺面,刻蝕深度達到n-GaN層;
步驟三:根據結構設計編寫各3D打印頭的運動路徑程序,將清潔好的外延片作為基片放入3D打印機中,利用單個或陣列式3D反光鏡材料打印頭在p-GaN層上打印歐姆接觸反光鏡;
利用單個或陣列式3D n型電極材料打印頭在n型層臺面上打印n型電極;
利用單個或陣列式3D p型電極材料打印頭在歐姆接觸反光鏡上打印p型電極,且p型電極占據歐姆接觸反光鏡的三分之一;
利用單個或陣列式3D鐵磁材料打印頭在除p型電極外的其他歐姆接觸反光鏡上打印鐵磁材料層;
利用單個或陣列式3D鐵磁保護材料打印頭在鐵磁材料層上打印鐵磁材料保護層;
步驟四:將打印好鐵磁材料保護層的基片置于外磁場中進行磁化,磁化強度為0.5T-1.5T,溫度為100-300℃,時間為30-120min。
本發明采用3D打印鐵磁層來增強LED的發光效率,鐵磁材料層產生的磁場作用于多量子阱有源區,能夠將載流子局域在富In的區域,提高載流子的輻射復合率,從而提高發光效率。而且3D打印生產工藝簡單,能夠有效的提高生產效率。
附圖說明
圖1為本發明一種LED的制備流程圖。
圖2為按照圖1流程制備獲得的LED結構示意圖。
圖3為鐵磁材料層打印完成后LED的俯視圖。
具體實施方式
本發明在實現3D打印增強LED發光效率的過程中,采用的3D打印形式為熔融、激光燒結中的一種。采用熔融形式的3D打印時,各種打印材料實施步驟如下:
歐姆接觸反光鏡
將金屬鎳粉末加入到3D打印機的金屬鎳熔融腔中進行速熔,控制溫度在1453℃使其處于半固化狀態,從3D打印頭擠出后迅速固化,形成金屬鎳膜;將金屬銀粉末加入到3D打印機的金屬銀熔融腔中進行速熔,控制溫度在961℃使其處于半固化狀態,從3D打印頭擠出后迅速固化,形成金屬銀膜;將金屬鎳粉末加入到3D打印機的金屬鎳熔融腔中進行速熔,控制溫度在1453℃使其處于半固化狀態,從3D打印頭擠出后迅速固化,形成金屬鎳膜。為防止金屬氧化將打印頭和基片置于惰性氣體氛圍中。為了和p型層形成良好的歐姆接觸,在Ni/Ag/Ni薄膜打印完成后在空氣中退火處理,溫度為400-600℃(400℃、500℃或600℃)。
n型電極
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