[發(fā)明專利]透明防靜電膜的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610324190.1
• 申請日: 2016-05-16
• 公開（公告）號: CN105778432B
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡韜;李泳銳
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: C08L65/00
• 分類號: C08L65/00;C08L25/18;C08K9/04;C08K3/38;C08J5/18
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種透明防靜電膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供微米級氮化硼粉末、及含氮助磨劑粉末，將所述微米級氮化硼粉末與含氮助磨劑粉末混合球磨，用去離子水稀釋混合粉末并離心分離得到上層清液，之后通過透析去除多余的含氮助磨劑，得到水溶性HBN納米片溶液；

步驟2、提供PEDOT:PSS水溶液，將所述PEDOT:PSS水溶液與步驟1中得到的水溶性HBN納米片溶液混合并分散均勻，得到混合溶液；

步驟3、提供一基板，將所述步驟2中得到的混合溶液涂布在所述基板上，之后對基板進(jìn)行烘烤，得到HBN/PEDOT復(fù)合透明防靜電膜；

所述步驟1中將微米級氮化硼粉末與含氮助磨劑粉末按質(zhì)量比為1:10-100進(jìn)行混合球磨；所述步驟1中球磨速度為100rpm-800rpm，球磨時(shí)間為5h-30h；

所述步驟1中制得的水溶性HBN納米片溶液濃度為0.01mg/ml-10mg/ml；

所述步驟2中PEDOT:PSS溶液的固含量為0.2％-3％，pH值為1-4；

所述步驟2中將PEDOT:PSS溶液與水溶性HBN納米片溶液按質(zhì)量比為1:0.01-1進(jìn)行混合。

2.如權(quán)利要求1所述的透明防靜電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟1中含氮助磨劑粉末包括碳酸氫銨、尿素、氯化銨、及硫酸銨中的一種或多種。

3.如權(quán)利要求1所述的透明防靜電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟1中微米級氮化硼粉末及含氮助磨劑粉末的混合質(zhì)量比為1:50。

4.如權(quán)利要求1所述的透明防靜電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟1中制得的水溶性HBN納米片溶液濃度為0.05mg/ml。

5.如權(quán)利要求1所述的透明防靜電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟2中PEDOT:PSS溶液的固含量為1.5％，pH值為2。

6.如權(quán)利要求1所述的透明防靜電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟3中對混合溶液的涂布方法為噴涂、刷涂、輥涂、絲網(wǎng)印刷、凹版印刷、柔板印刷、或狹縫涂布。

7.如權(quán)利要求1所述的透明防靜電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟3中對混合溶液的涂布方法為旋涂，旋涂轉(zhuǎn)速為800rpm-2000rpm，旋涂時(shí)間為60s-600s。

8.如權(quán)利要求1所述的透明防靜電膜的制備方法，其特征在于，所述步驟3中烘烤溫度為80℃-150℃，烘烤時(shí)間為60s-600s；所述步驟3中制得的HBN/PEDOT復(fù)合透明防靜電膜的厚度為0.1um-100um。