[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及其驅動方法有效
| 申請號: | 201610323887.7 | 申請日: | 2016-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN105762172B | 公開(公告)日: | 2019-03-15 |
| 發明(設計)人: | 趙衛杰;董學;薛海林;陳小川;王海生;劉英明;楊盛際;丁小梁;李昌峰;王鵬鵬;劉偉 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G06F3/041 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 及其 制備 方法 顯示 面板 驅動 | ||
1.一種陣列基板,包括多個子像素,每個子像素均設置有顯示元件,其特征在于,至少一個子像素構成一個重復單元,位于重復單元中的其中一個子像素還設置有熱敏組件;
所述熱敏組件與控制信號線和讀取信號線相連,用于在所述控制信號線的控制下,將熱電轉換后的電流信號輸出至所述讀取信號線,以根據所述控制信號線和所述讀取信號線確定觸控位置;
所述熱敏組件包括第一電極、第二電極及第一晶體管;
所述第一晶體管的柵極與控制信號線相連,第一極與所述讀取信號線相連,第二極與所述第二電極的一端相連;
所述第二電極的另一端與所述第一電極相連;
其中,所述第一電極和所述第二電極的材料不同。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述顯示元件包括第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管、存儲電容和發光器件;
所述第二晶體管的柵極與掃描控制線控制線相連,第一極與數據線相連,第二極與第三晶體管的第一極相連;
所述第四晶體管的柵極與發光控制線相連,第一極與第一電壓端相連,第二極與所述第三晶體管的第一極相連;
所述第五晶體管的柵極與復位控制線相連,第一極與第二電壓端相連,第二極與所述第三晶體管的柵極相連;
所述第六晶體管的柵極與所述掃描控制線相連,第一極與所述第三晶體管的柵極相連,第二極與所述第三晶體管的第二極相連;
所述第七晶體管的柵極與所述發光控制線相連,第一極與所述第三晶體管的第二極相連,第二極與所述發光器件的陽極相連;
所述發光器件的陰極與第三電壓端相連;
所述存儲電容的一端與所述第三晶體管的柵極相連,另一端與所述第一電壓端相連。
3.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述控制信號線為所述掃描控制線或所述復位控制線。
4.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,在所述熱敏組件包括第一電極、第二電極及第一晶體管的情況下,所述第一電極與所述陰極同層設置。
5.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,一個重復單元為一個像素單元。
6.一種顯示面板,其特征在于,包括權利要求1-5任一項所述的陣列基板。
7.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述陣列基板中的顯示元件為OLED顯示元件;
所述顯示面板還包括封裝蓋板。
8.根據權利要求7所述的顯示面板,其特征在于,所述顯示面板為頂發射型顯示面板;所述OLED顯示元件發白光;
所述封裝蓋板上設置有彩色膜層。
9.一種如權利要求2所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述熱敏組件包括第一電極、第二電極及第一晶體管;
所述制備方法包括:在Si襯底基板對應每個子像素的區域,通過C-MOS工藝形成顯示元件的第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體管、第七晶體管以及存儲電容,并同步形成掃描控制線、發光控制線、復位控制線以及數據線;
在對應每個重復單元的其中一個子像素的區域,還同步形成熱敏組件的第一晶體管和第二電極;
通過構圖工藝形成所述顯示元件的發光器件的陽極;
通過蒸鍍工藝形成所述發光器件的有機材料功能層、陰極以及所述熱敏組件的第一電極。
10.根據權利要求9所述的制備方法,其特征在于,發光器件的陰極和所述熱敏組件的第一電極同步形成;
在形成發光器件的陽極之后,通過蒸鍍工藝形成陰極以及所述熱敏組件的第一極之前,所述制備方法包括:
形成像素界定層;
在所述像素界定層上形成隔墊物,其中所述隔墊物靠近所述像素界定層一側的面積小于所述隔墊物遠離所述像素界定層的面積;
在所述像素界定層和所述隔墊物上形成過孔,所述過孔用于使熱敏組件的第一電極和第二電極相連。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





