[發明專利]一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置

在審

• 申請號: 201610320226.9
• 申請日: 2016-05-13
• 公開（公告）號: CN105759525A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發明（設計）人: 張偉;張琨鵬;李慧;詹小舟;劉宇;劉弘
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333;G06F3/041
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示面板(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)是目前常用的平板顯示器，液晶顯示面板以其體積小、功耗低、無輻射、分辨率高等優點，被廣泛地應用于現代數字信息化設備中。

隨著低溫多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon,LTPS)、內嵌式(InCell)觸控顯示面板的發展，對生產工藝和設計的要求越來越高?，F有技術常用的內嵌式觸控顯示面板包括混合內嵌式(HybridInCell，HIC)觸控顯示面板和全內嵌式(FullInCell，FIC)觸控顯示面板，而混合內嵌式觸控顯示面板和全內嵌式觸控顯示面板均將公共電極復用為觸控電極，該公共電極通常不再設計為整面覆蓋的電極，此時公共電極所在的層會產生段差和電極開口。

具體如圖1所示，現有技術的觸控顯示面板包括襯底基板10、位于襯底基板10上的柵極11、位于柵極11上的中間絕緣層(InterLayerDielectric，ILD)12和平坦層13、位于平坦層13上的公共電極，以及位于公共電極上的絕緣層15，公共電極由若干公共子電極14組成，公共電極復用為觸控電極。從圖中可以看到，公共電極所在的層會產生段差和電極開口，段差的產生會形成不良(Mura)，電極開口后不能屏蔽下層的柵極11，柵極11產生的電場會對液晶取向電場產生影響，從而產生顯示不良。

綜上所述，現有技術觸控顯示面板的公共電極復用為觸控電極時，會導致觸控顯示面板產生顯示不良，觸控顯示面板的良率較低。

發明內容

本發明實施例提供了一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置，用以改善產品的顯示不良，提升產品的良率。

本發明實施例提供的一種陣列基板，包括襯底基板、位于所述襯底基板上具有開口區域的公共電極，其中，還包括位于所述公共電極上方接地的屏蔽電極；

所述屏蔽電極的位置與所述公共電極的開口區域對應，并覆蓋所述公共電極的開口區域。

由本發明實施例提供的陣列基板，由于該陣列基板包括屏蔽電極，屏蔽電極的位置與公共電極的開口區域對應，并覆蓋公共電極的開口區域，與現有技術相比，本發明實施例中公共電極的開口區域對應的位置處被屏蔽電極覆蓋，公共電極和屏蔽電極形成的電極層能夠很好的屏蔽公共電極下方的柵極以及源漏極，能夠避免由于柵極以及源漏極產生的電場對液晶取向電場產生的影響，進而能夠很好的改善產品的顯示不良，提升產品的良率。

較佳地，所述公共電極由若干呈陣列排列的方塊形公共子電極組成；

所述屏蔽電極包括若干沿行方向排列的第一屏蔽電極和若干沿列方向排列的第二屏蔽電極，所述第一屏蔽電極的位置與相鄰兩行公共子電極之間的開口區域對應，所述第二屏蔽電極的位置與相鄰兩列公共子電極之間的開口區域對應；以及

所述第一屏蔽電極覆蓋相鄰兩行公共子電極之間的開口區域，所述第二屏蔽電極覆蓋相鄰兩列公共子電極之間的開口區域。

較佳地，所述第一屏蔽電極和所述第二屏蔽電極同層設置，所述第一屏蔽電極或所述第二屏蔽電極在交叉位置處斷開設置。

較佳地，當所述第一屏蔽電極在交叉位置處斷開時，每一所述第一屏蔽電極分別與所述第一屏蔽電極相鄰行且位于所述第一屏蔽電極同一側正對位置處的每一所述公共子電極一一對應電連接；

當所述第二屏蔽電極在交叉位置處斷開時，每一所述第二屏蔽電極分別與所述第二屏蔽電極相鄰列且位于所述第二屏蔽電極同一側正對位置處的每一所述公共子電極一一對應電連接。

較佳地，所述第一屏蔽電極和所述第二屏蔽電極與陣列基板包括的像素電極同層設置。

較佳地，所述第一屏蔽電極的上表面與陣列基板包括的位于所述公共電極與所述第一屏蔽電極之間的絕緣層的上表面平行設置；

所述第二屏蔽電極的上表面與陣列基板包括的位于所述公共電極與所述第二屏蔽電極之間的絕緣層的上表面平行設置。

較佳地，所述公共電極由沿行方向或沿列方向排列的若干條形公共子電極組成；

若所述公共子電極沿行方向排列，所述屏蔽電極的位置與相鄰兩行公共子電極之間的開口區域對應，并覆蓋相鄰兩行公共子電極之間的開口區域；

若所述公共子電極沿列方向排列，所述屏蔽電極的位置與相鄰兩列公共子電極之間的開口區域對應，并覆蓋相鄰兩列公共子電極之間的開口區域。