[發明專利]光纖溫度傳感器及其硫化鎘薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201610316151.7
• 申請日: 2016-05-12
• 公開（公告）號: CN107365983B
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發明（設計）人: 董玉明;岳孟果;楊春雷;馮麗麗;焦國華;魯遠甫;羅阿郁;呂建成
• 申請（專利權）人: 深圳先進技術研究院
• 主分類號: C23C18/31
• 分類號: C23C18/31;G01K11/32
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;侯藝

1.一種光纖溫度傳感器硫化鎘薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

將光纖固定于插芯后，將所述光纖的裸露端面打磨；

鍍膜：將硫脲、硫酸鎘與氨水混合溶于去離子水中形成反應液；所述硫脲、硫酸鎘的物質的量比為12～110:1；所述氨水體積為40～50mL；然后將所述裸露端面插入所述反應液中，利用化學水浴法在溫度為60～70℃，完成一次硫化鎘薄膜的鍍膜；

重復鍍膜：重復所述鍍膜步驟至n次，獲得沉積有n+1層硫化鎘薄膜的裸露端面，n為大于0的自然數；

將經過所述重復鍍膜步驟獲得的光纖在180～220℃溫度下退火處理。

2.根據權利要求1所述光纖溫度傳感器硫化鎘薄膜的制備方法，其特征在于，所述硫脲、硫酸鎘分別配成硫脲水溶液、硫酸鎘水溶液；所述氨水先與所述硫酸鎘水溶液混合，再與所述硫脲水溶液一并溶于所述去離子水中形成反應液。

3.根據權利要求1所述光纖溫度傳感器硫化鎘薄膜的制備方法，其特征在于，所述氨水的質量分數為28％-35％。

4.根據權利要求1所述光纖溫度傳感器硫化鎘薄膜的制備方法，其特征在于，所述n為1～5。

5.一種光纖溫度傳感器，其特征在于，依次包括：入射光纖、如權利要求1所述制備方法獲得的硫化鎘薄膜以及出射光纖。

6.一種光纖溫度傳感器，其特征在于，依次包括：入射、出射共用光纖、如權利要求1所述制備方法獲得的硫化鎘薄膜以及反射膜。