[發明專利]一種一維無機高分子及其通用制備方法有效
| 申請號： | 201610315617.1 | 申請日： | 2016-05-12 |
| 公開（公告）號： | CN106006575B | 公開（公告）日： | 2017-11-14 |
| 發明（設計）人： | 唐江;周英;羅家俊;宋懷兵 | 申請（專利權）人： | 武漢光電工業技術研究院有限公司 |
| 主分類號： | C01B19/04 | 分類號： | C01B19/04;C01B19/00;C01G29/00;C01G30/00 |
| 代理公司： | 武漢帥丞知識產權代理有限公司42220 | 代理人： | 朱必武 |
| 地址： | 430075 湖北省武漢市*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 無機 高分子 及其 通用 制備 方法 | ||
1.一種一維無機高分子，其特征在于：所述的一維無機高分子，由具有A4B6結構的最小重復單元組成，其中：A為Sb或Bi或二者的組合，B為O或S或Se中的任一種或S與Se的組合。
2.根據權利要求1所述的一維無機高分子，其特征在于：所述具有A4B6結構的最小重復單元的長度為0.265～0.5nm。
3.根據權利要求1所述的一維無機高分子，其特征在于：所述的一維無機高分子的直徑為0.6～1.5nm，長度為300nm～2μm。
4.根據權利要求3所述的一維無機高分子，其特征在于：所述具有A4B6結構的最小重復單元的個數為700～8000。
5.一種根據權利要求1～4中任一項所述的一維無機高分子的制備方法，其特征在于：所述方法采用具有一維晶體結構的無機化合物的粉末、薄膜或顆粒為原料，使用液氮對所述原料進行插層處理后，加入分散劑，離心分層，取上層清液，最終制得所述一維無機高分子，所述具有一維晶體結構的無機化合物原料為銻基氧族化合物、鉍基硫族化合物或它們的合金中的任一種。
6.根據權利要求5所述的一維無機高分子的制備方法，其特征在于：所述具有一維晶體結構的無機化合物原料為Sb2S3或Sb2Se3或Bi2S3或Sb2O3或者它們構成的合金(Bix,Sb2-x)(Sy,Se3-y)(x＝0～2，y＝0～3)。
7.根據權利要求5所述的一維無機高分子的制備方法，其特征在于：對所述原料進行液氮處理的次數為1～10次。
8.根據權利要求5所述的一維無機高分子的制備方法，其特征在于：所述原料還包括過量的堿金屬氯化鹽。
9.根據權利要求5所述的一維無機高分子的制備方法，其特征在于：在使用液氮對所述原料進行插層處理之前將原料進行超聲分散和/或細胞粉碎處理。
10.根據權利要求5所述的一維無機高分子的制備方法，其特征在于：所述原料在利用液氮進行插層處理后將所述原料分散在去離子水中再次進行插層處理。
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