[發(fā)明專利]一種含陰極輔助的快恢復二極管材料片結構及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610314304.4
• 申請日: 2016-05-13
• 公開（公告）號: CN105762174A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發(fā)明（設計）人: 王國峰
• 申請（專利權）人: 上海芯石微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/02
• 分類號: H01L29/02;H01L29/868
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.含陰極輔助的快恢復二極管材料片，其結構包括：如圖2，在低摻雜的N-單晶硅片（D）的下面通過摻雜形成10-20um厚的N層（C），在N層涂覆磷乳膠源（A），通過乳膠源粘附一片N型單晶片（B），通過熱氧化方式使兩片硅片結合在一起，同時在N層內形成4-6um的N+區(qū)（E），將N-層（D）減薄到20-80um。

2.根據權利要求1所述的含陰極輔助的快恢復二極管的材料片結構，其特征在于，具有N+（E）/N（C）形成的陰極輔助結構。

3.根據權利要求1所述的材料片結構，其特征在于，乳膠源厚度在5um~30um，形成N+區(qū)寬度20um~150um，N型區(qū)（C）和N-區(qū)（D）總厚度在30-100um，N型區(qū)（C）面有粘附的單晶片（B）做支撐。

4.一種含陰極輔助的快恢復二極管材料片結構及其制造方法，其步驟包括：在低摻雜N-單晶片（D）的下面擴磷形成N型區(qū)（C），再在N型區(qū)（C）通過絲網印刷涂覆磷乳膠源，利用乳膠源粘附一片單晶片（B），經過高溫擴散，在N型區(qū)（C）內形成N+區(qū)（E），形成陰極輔助二極管，并且高溫擴散時通過硅氧化的方式使兩硅片緊密結合在一起，減薄、拋光N-單晶片（D）上表面，使N型區(qū)（C）和N-區(qū)（D）的總厚度變薄。