[發(fā)明專利]雙面顯示器、顯示模組及其TFT陣列基板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610311100.5 | 申請(qǐng)日： | 2016-05-11 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN105785685B | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-03-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 樊勇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G02F1/1368 | 分類號(hào)： | G02F1/1368;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44280 | 代理人： | 袁江龍 |
| 地址： | 518006 廣東*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 雙面 顯示器 顯示 模組 及其 tft 陣列 | ||
1.一種具有雙面顯示功能的TFT陣列基板，其特征在于，所述TFT陣列基板包括相對(duì)設(shè)置的兩個(gè)石墨烯顯示單元以及設(shè)于所述兩個(gè)石墨烯顯示單元之間的反射層；所述反射層為金屬薄膜；所述石墨烯顯示單元分別包括：
基板；
設(shè)于基板上的絕緣層；
設(shè)于所述絕緣層上的發(fā)光層、源極以及漏極，其中，所述源極和所述漏極分別與所述發(fā)光層相接觸；
蓋設(shè)于所述發(fā)光層、所述源極以及所述漏極上的介電層；以及
設(shè)于所述介電層上的柵極；
其中，兩個(gè)石墨烯顯示單元的柵極分別貼設(shè)在反射層的兩側(cè)，所述兩個(gè)石墨烯顯示單元的結(jié)構(gòu)沿所述反射層兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置；
其中，所述柵極采用氧化石墨烯材料制成；所述發(fā)光層、所述源極以及所述漏極均采用還原氧化石墨烯材料制成；制成所述源極和所述漏極采用的還原氧化石墨烯的含氧量小于制成所述發(fā)光層采用的還原氧化石墨烯的含氧量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述介電層的材料為SiO2或者SiNx。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述絕緣層的材質(zhì)具有良好的隔氧和導(dǎo)熱性。
4.一種雙面顯示模組，其特征在于，所述雙面顯示模組包括權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的TFT陣列基板。
5.一種雙面顯示器，其特征在于，所述雙面顯示器包括權(quán)利要求4所述的雙面顯示模組。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過(guò)改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來(lái)修改的；用于上述操作的技術(shù)或工藝；變頻；非線性光學(xué)；光學(xué)
G02F1-00 控制來(lái)自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學(xué)
G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
