[發明專利]一種采用拓撲絕緣體構成的電子自旋濾波器有效
| 申請號： | 201610311092.4 | 申請日： | 2016-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN107369757B | 公開（公告）日： | 2020-09-15 |
| 發明（設計）人： | 肖榮福;郭一民 | 申請（專利權）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/02 | 分類號： | H01L43/02 |
| 代理公司： | 上海容慧專利代理事務所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于曉菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 采用 拓撲 絕緣體 構成 電子 自旋 濾波器 | ||
【權利要求書】：
1.一種電子自旋濾波器，其特征在于，包括由拓撲絕緣體和電介質相互滲透所形成的結構，拓撲絕緣體和電介質的組分X/(X+Y)大于XC，其中拓撲絕緣體與電介質的成分比為X：Y，拓撲絕緣體與電介質的滲透閾值為XC；所述拓撲絕緣體層采用由元素Bi和Sb中的至少一種，以及元素Se和Te中的至少一種所形成的化合物，或者在上述化合物中摻雜Cr或Mn。
2.如權利要求1所述的電子自旋濾波器，其特征在于，所述電介質層采用金屬Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Zn、In、Tl、Sn、Pb、Ga、Sb、Bi、Se、Te、Po的氧化物、氮化物或氮氧化物，或采用半導體材料Si、Ge的氧化物、氮化物或碳化物。
3.如權利要求1所述的電子自旋濾波器，其特征在于，所述電介質層采用由元素Bi和Sb中的至少一種，以及元素Se和Te中的至少一種所形成的氧化物、氮化物或碳化物。
4.如權利要求1所述的電子自旋濾波器，其特征在于，通過退火改善所述電子自旋濾波器的導電性能。
5.如權利要求1所述的電子自旋濾波器，其特征在于，通過物理共濺射工藝形成拓撲絕緣體和電介質相互滲透的結構。
6.如權利要求1所述的電子自旋濾波器，其特征在于，使用拓撲絕緣體和電介質相混合的靶材，通過物理濺射工藝形成拓撲絕緣體和電介質相互滲透的結構。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海磁宇信息科技有限公司，未經上海磁宇信息科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610311092.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
