[發明專利]絕緣柵雙極晶體管的制造方法

有效

• 申請號: 201610310327.8
• 申請日: 2016-05-12
• 公開（公告）號: CN105762077B
• 公開（公告）日: 2018-09-07
• 發明（設計）人: 周賢達;舒小平;徐遠梅
• 申請（專利權）人: 中山漢臣電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331
• 代理公司: 深圳市千納專利代理有限公司 44218
• 代理人: 胡堅

1.一種絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征是：所述的制造方法包括下述步驟：

（1）、制作輕摻雜襯底晶片；

（2）、在所述晶片上形成電介質層（333）；

（3）、在所述電介質層（333）上淀積未摻雜的多晶硅層；

（4）、對所述未摻雜的多晶硅層和電介質層（333）進行圖案化處理，以形成柵極溝槽（541）；

（5）、淀積硅以在單晶硅表面上形成單晶硅，并在所述晶片表面的剩余部分上形成多晶硅；

（6）、形成柵電介質（332）；

（7）、通過多晶硅淀積和回蝕刻形成柵電極（322），

（8）、通過離子注入和驅入形成多晶硅基區（313），

（9）、形成重摻雜的多晶硅發射區（311）和多晶硅擴散區（312），

（10）、淀積層間電介質（331）；

（11）、對所述層間電介質（331）進行圖案化處理，

（12）、通過淀積金屬層和圖案化處理形成發射極（321），

（13）、減薄所述晶片以形成漂移區（314），

（14）、通過離子注入和退火在背側形成緩沖區（315），

（15）、通過離子注入和退火在所述背側形成集電區（316），

（16）、通過淀積金屬層并合金而在所述背側形成集電極（323）。

2.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征是：所述的柵電介質（332）是通過對所述晶片的表面進行氧化而形成的。

3.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征是：所述的柵電介質（332）是通過對所述晶片的表面進行氧化并隨后淀積高K電介質而形成的。

4.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征是：所述的電介質層（333）為氧化硅或氮化硅，當電介質層（333）為氧化硅時，通過淀積或熱氧化而形成，當電介質層（333）為氮化硅時，通過淀積而形成。

5.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征是：所述的層間電介質（331）采用氧化硅。

6.根據權利要求1所述的絕緣柵雙極晶體管的制造方法，其特征是：所述的步驟（14）中，退火采用激光退火或低溫退火。