[發(fā)明專利]封裝材料及其制備方法以及光電器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610308711.4 | 申請(qǐng)日: | 2016-05-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107369730A | 公開(公告)日: | 2017-11-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李碩;陳海力;蔣雷;于甄 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 張家港康得新光電材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/048 | 分類號(hào): | H01L31/048 |
| 代理公司: | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11240 | 代理人: | 吳貴明,張永明 |
| 地址: | 215634 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 材料 及其 制備 方法 以及 光電 器件 | ||
1.一種封裝材料,其特征在于,包括:
基材層;
阻隔層,設(shè)置于所述基材層的任一表面上;
耐候?qū)樱O(shè)置于所述阻隔層的遠(yuǎn)離所述基材層的表面上;
所述耐候?qū)影廪D(zhuǎn)換劑,所述光轉(zhuǎn)換劑為摻雜稀土的無機(jī)氧化物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料,其特征在于,所述摻雜稀土的無機(jī)氧化物為Sr5(PO4)3Cl:Eu2+、YPO4:Tb和LaPO4:Tm中的一種或多種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝材料,其特征在于,所述光轉(zhuǎn)換劑的粒徑為50nm~10μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料,其特征在于,所述耐候?qū)訛榉铩?/p>
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝材料,其特征在于,所述耐候?qū)又校廪D(zhuǎn)換劑的質(zhì)量占氟化物的1%~5%。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝材料,其特征在于,所述氟化物為氟碳涂料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料,其特征在于,所述基材層為PET或PEN。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝材料,其特征在于,所述阻隔層為無機(jī)氧化物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝材料,其特征在于,所述無機(jī)氧化物為氧化鈦或者氧化鋁。
10.一種權(quán)利要求1~9任一項(xiàng)所述的封裝材料的制備方法,其特征在于,包括:
提供基材層;
在所述基材層的任一表面通過電子束蒸發(fā)、磁控濺射、原子層沉積或化學(xué)氣相沉積的方法形成阻隔層;
在所述阻隔層的遠(yuǎn)離所述基材層的表面上通過涂布的方式形成耐候?qū)印?/p>
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法,其特征在于,所述基材層的表面經(jīng)過放電處理、電化學(xué)預(yù)處理或火焰預(yù)處理。
12.一種光電器件,包括封裝材料,其特征在于,所述封裝材料為權(quán)利要求1~9任一項(xiàng)所述的封裝材料,或權(quán)利要求10~11任一項(xiàng)所述的制備方法制備的封裝材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





