[發(fā)明專利]MOS電容器泄漏檢測測試結(jié)構(gòu)以及MOS電容器泄漏檢測方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610307223.1 | 申請日： | 2016-05-11 |
| 公開（公告）號： | CN105810665B | 公開（公告）日： | 2018-09-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 令海陽;劉憲周 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | mos 電容器 泄漏 檢測 測試 結(jié)構(gòu) 以及 方法 | ||
【說明書】：
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