[發(fā)明專利]二硒化鎢納米花的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610305774.4 | 申請(qǐng)日: | 2016-05-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105967155B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-04-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳遠(yuǎn)富;王新強(qiáng);戚飛;鄭斌杰;賀加瑞;周金浩;張萬(wàn)里 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | C01B19/04 | 分類(lèi)號(hào): | C01B19/04 |
| 代理公司: | 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所(普通合伙)51232 | 代理人: | 葛啟函 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 二硒化鎢 納米 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種二硒化鎢(WSe2)納米花的制備方法。
背景技術(shù)
近幾年,人們對(duì)過(guò)渡金屬硫化物的研究居多,并且取得了很大的成果,從目前公開(kāi)文獻(xiàn)來(lái)看主要原因在于,硫源廣且大部分毒性較低,而水溶性硒化物均有毒,因此對(duì)過(guò)渡金屬硫化物MS2(M=Mo、W、Nb、Ta、Zr、Hf、Re、Pt)的制備方法及其性能研究的報(bào)道也較多,而涉及過(guò)渡金屬硒化物MSe2(M=Mo、W、Nb、Ta、Zr、Hf、Re、Pt)的相關(guān)研究較少,尤其是其形貌控制與應(yīng)用研究方面。因此,很多學(xué)者已經(jīng)將視線轉(zhuǎn)向了過(guò)渡金屬硒化物。
二硒化鎢(WSe2)作為主要的過(guò)渡金屬硒化物,是一種具有多種特殊性能的工程材料和功能材料。WSe2晶體具有類(lèi)似MoS2的六方夾層狀結(jié)構(gòu),每一WSe2分子層為兩層Se原子層之間夾一層W原子層,W原子層與Se原子層之間以共價(jià)鍵連接,而鄰近的WSe2層均以Se層隔開(kāi),間距較遠(yuǎn),作用力為弱的范德華力。WSe2耐高溫,分解溫度達(dá)850℃;耐酸堿和其他介質(zhì),穩(wěn)定性好;具有良好的潤(rùn)滑性能,剪切強(qiáng)度低;此外還具有突出的其他性能:WSe2是抗磁性p型半導(dǎo)體材料,導(dǎo)帶低(1.16eV);WSe2是目前世界上導(dǎo)熱率最低的材料,表示系統(tǒng)中的熱不易散失,換句話說(shuō),就是系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率會(huì)更高,因此這個(gè)新材料的應(yīng)用,將很有可能大幅度提高能源的使用效率。
綜上所述,WSe2在高溫固體潤(rùn)滑、高效太陽(yáng)能電池和高性能絕熱陶瓷材料等方面具有廣泛的應(yīng)用前景,其制備及其性能研究一直受到人們的廣泛關(guān)注。專利初步檢索顯示有兩項(xiàng)涉及二硒化鎢納米材料制備方法的申請(qǐng):一個(gè)是申請(qǐng)?zhí)枮?01010572015.7的中國(guó)專利公開(kāi)了一種使用固相法制備二硒化鎢納米片的方法,該方法以一定摩爾比的鎢粉和硒粉混合均勻后,在氬氣保護(hù)下,經(jīng)過(guò)高溫反應(yīng),冷卻的到了二硒化鎢納米片。該方法需要在氬氣保護(hù)下,在管式爐中進(jìn)行,設(shè)備昂貴,而且反應(yīng)溫度高,為600℃~700℃。另一個(gè)是申請(qǐng)?zhí)枮?01210374547.9的中國(guó)專利公開(kāi)了一種高取向性二硒化鎢納米線的制備方法,該方法采用兩步反應(yīng)法,首先以Na2WO4·2H2O和CH3CSNH2為反應(yīng)溶質(zhì),以CTAB為絡(luò)合劑,通過(guò)水熱法制備出WO2納米線,然后再將WO2納米線用純度為99.9%的硒粉在高溫下進(jìn)行硒化,獲得取向性二硒化鎢納米線。該方法采用兩步法,制備步驟繁瑣,在WO2硒化過(guò)程中也需要在高純氬保護(hù)下進(jìn)行,且反應(yīng)溫度高,為600℃~900℃。
因?yàn)榕c石墨、MOS2具有天然礦物不同,WSe2只能通過(guò)人工合成的方法制備,現(xiàn)有的工藝普遍都需要在CVD管式爐中進(jìn)行,設(shè)備昂貴,制備溫度高,對(duì)反應(yīng)氣氛要求高,不利于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。因此,WSe2的應(yīng)用也受到了很大限制。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了克服現(xiàn)有制備工藝存在的缺陷,提供一種以H2SeO3和Na2WO4·2H2O為反應(yīng)物質(zhì),有機(jī)溶劑為反應(yīng)溶劑,通過(guò)溶劑熱法一步合成二硒化鎢(WSe2)納米花。本發(fā)明中的制備方法是一種新的二硒化鎢(WSe2)納米花合成工藝,具有工藝簡(jiǎn)單、原料易得、成本低、反應(yīng)條件溫和等優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
二硒化鎢納米花的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1:將H2SeO3溶解于有機(jī)溶劑中混合均勻,邊攪拌邊加入Na2WO4·2H2O制得混合溶液;
步驟2:將步驟1所得的混合溶液轉(zhuǎn)移到反應(yīng)釜中,在溫度范圍為180℃~240℃的條件下反應(yīng)12小時(shí)~48小時(shí);
步驟3:待步驟2中反應(yīng)釜的溫度自然冷卻至室溫后,通過(guò)抽濾收集黑色產(chǎn)物,并分別用去離子水和乙醇對(duì)產(chǎn)物進(jìn)行洗滌,真空干燥后得到二硒化鎢納米花。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于電子科技大學(xué),未經(jīng)電子科技大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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