[發明專利]顯示面板及其制作方法在審
| 申請號: | 201610304442.4 | 申請日: | 2016-05-09 |
| 公開(公告)號: | CN105759492A | 公開(公告)日: | 2016-07-13 |
| 發明(設計)人: | 陳黎暄;李泳銳 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1335 | 分類號: | G02F1/1335;G02F1/1333;G03F7/00 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示面板及其制作方法。
背景技術
納米壓印(Nano-imprintLithography,NIL)技術突破了傳統光刻在特征尺寸減小過程中的難題,具有分辨率高、低成本、高產率的特點。自1995年提出以來,納米壓印已經演變出了多種壓印技術,廣泛應用于半導體制造、微機電系統(MicroelectromechanicalSystems,MEMS)、生物芯片、生物醫學等領域。NIL技術的基本思想是通過模版,將圖形轉移到相應的襯底上,轉移的媒介通常是一層很薄的聚合物膜,通過熱壓或者輻照等方法使其結構硬化從而保留下轉移的圖形。整個過程包括壓印和圖形轉移兩個過程。根據壓印方法的不同,NIL主要可分為熱塑(Hotembossing)、紫外(UV)固化和微接觸(Microcontactprinting,uCP)三種光刻技術。
對于需要使用偏光片的各類器件,例如LCD、OLED等,傳統的偏光片是由多層膜組合而成的,其中最核心的部分是偏光層,通常為含有具有偏光作用的碘分子的聚乙烯醇(PVA)層,其次是分別位于偏光層兩側的保護層,通常為透明的三醋酸纖維素(TAC)層,主要是為了維持偏光層中偏光子的被拉伸狀態,避免偏光子水分的流失,保護其不受外界影響,該偏光片通過二向碘分子的吸收作用來產生偏振光。
隨著納米壓印技術的發展,人們已經可以通過制備金屬光柵結構,來達到對可見光波長范圍的光的偏振作用,由于金屬光柵結構本身對光的吸收很小,通過反射自然光的一個偏振而讓另外一個偏振通過,可以使被反射的光通過偏振旋轉再次被回收利用,因此在液晶顯示中具有很大的潛力。但是目前NIL技術受到模板尺寸的限制,大多無法與電視的顯示面板的尺寸相匹配,為了制作21寸以上或更大的納米壓印型偏光片,需要制作巨大的模板或者采用小模板拼接的方式進行壓印,前者耗費巨大且存在工藝的復雜和困難性,后者的拼接可能帶來拼接不良和存在拼接縫隙的狀況。
發明內容
本發明的目的在于提供一種顯示面板,通過多個線柵單元拼接形成大尺寸的線柵偏光片,并利用黑色矩陣遮擋線柵偏光片上線柵單元之間的拼接縫隙,降低拼接不良帶來的影響。
本發明的目的還在于提供一種顯示面板的制作方法,通過多個線柵單元拼接形成大尺寸的線柵偏光片,并利用黑色矩陣遮擋線柵偏光片上數個線柵單元之間的拼接縫隙,降低拼接不良帶來的影響。
為實現上述目的,本發明首先提供一種顯示面板,包括相對設置的上基板與下基板、線柵偏光片、及黑色矩陣,所述黑色矩陣設置在上基板或下基板的一側上,所述線柵偏光片設置在上基板或下基板的一側上;所述線柵偏光片具有呈矩陣陣列方式拼接的數個線柵單元,所述線柵單元之間的拼接縫的正投影位于黑色矩陣內。
所述線柵單元由6-8寸的壓印模板單元所形成。
所述線柵偏光片上的數個線柵單元由一個壓印模板單元依次形成。
所述線柵偏光片上的數個線柵單元由數個壓印模板單元拼接而成的拼接壓印模板所同時形成。
所述黑色矩陣包括縱橫交錯的數個遮光條,所述線柵單元之間的拼接縫的正投影位于黑色矩陣的遮光條內,所述遮光條的寬度為20μm以上。
本發明還提供一種顯示面板的制作方法,包括如下步驟:
步驟1、提供一待處理的面板,包括待壓印的偏光片、相對設置的上基板與下基板、及黑色矩陣,所述黑色矩陣設置在上基板或下基板的一側上;
步驟2、提供壓印模板單元,利用壓印模板單元在待壓印的偏光片上形成呈矩陣陣列方式拼接的數個線柵單元,得到線柵偏光片,其中,每一線柵單元由對應的一個壓印模板單元所形成;
步驟3、得到顯示面板,所述線柵偏光片設置在上基板或下基板的一側上,所述線柵單元之間的拼接縫的正投影位于黑色矩陣內。
所述步驟2中提供一個壓印模板單元,通過移動該壓印模板單元,在待壓印的偏光片上依次壓印形成數個線柵單元。
所述步驟2中對應線柵偏光片上的數個線柵單元提供數個壓印模板單元,并將其拼接成一個拼接壓印模板,利用該拼接壓印模板在待壓印的偏光片上通過一次壓印形成數個線柵單元。
所述步驟2提供的壓印模板單元為6-8寸的壓印模板單元。
所述黑色矩陣包括縱橫交錯的數個遮光條,所述線柵單元之間的拼接縫的正投影位于黑色矩陣的遮光條內,所述遮光條的寬度為20μm以上。
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