[發(fā)明專利]用于制造光電子器件的方法和這樣制造的器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610302987.1 | 申請(qǐng)日： | 2012-03-15 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105895773B | 公開（公告）日： | 2018-05-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | M.毛特;J.莫斯布格爾;S.耶雷比克 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/44 | 分類號(hào)： | H01L33/44;H01L33/56 |
| 代理公司： | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 張濤 |
| 地址： | 德國(guó)雷*** | 國(guó)省代碼： | 德國(guó);DE |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 彌散 半導(dǎo)體芯片 基質(zhì)材料 芯片邊緣 光電子器件 結(jié)構(gòu)化 施加 制造 改性 背離 顆粒分離 突起 地被 源層 嵌入 芯片 輻射 | ||
【權(quán)利要求書】：
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司，未經(jīng)奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610302987.1/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
