[發明專利]基于延時自外差法測量852nm半導體激光器超窄線寬測試系統

在審

• 申請號: 201610302697.7
• 申請日: 2016-05-09
• 公開（公告）號: CN105758626A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發明（設計）人: 關寶璐;楊嘉煒;潘冠中;劉振揚;李鵬濤
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: G01M11/02
• 分類號: G01M11/02
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 張慧

1.一種852nm窄線寬半導體激光器線寬測試系統，其特征在于，主要包括：

半導體激光器(1)、第一3dB耦合器(2)、多模延時光纖(3)、聲光移頻器(4)、第二3dB耦合器(5)、光電探測器(6)和頻譜儀(7)組成；

半導體激光器輸出端口為FC/PC的光纖接口，通過法蘭盤將半導體激光器與第一3dB耦合器的輸入端口相連接；第一3dB耦合器輸出為兩路，一路通過法蘭盤連接延時多模光纖，另一路通過法蘭盤連接聲光移頻器；第二3dB耦合器把多模延時光纖的輸出與聲光移頻器的輸出合為一路；第二3dB耦合器的輸出端連接光電探測器，光電探測器的輸出端使用BNC射頻線與頻譜儀相連接。

2.按照權利要求1所述的一種852nm窄線寬半導體激光器線寬測試系統，其特征在于，所述半導體激光器為852nm窄線寬半導體激光器，激射波長為852nm，出光面鍍有反射率小于0.01％的減反膜，另一面鍍有反射率大于90％的高反膜。

3.按照權利要求1所述的一種852nm窄線寬半導體激光器線寬測試系統，其特征在于，所述的第一3dB耦合器和第二3dB耦合器，分光比同為50/50，光纖類型是多模光纖，光纖接頭為FC/PC。

4.按照權利要求1所述的一種852nm窄線寬半導體激光器線寬測試系統，其特征在于，多模延時光纖，工作波長在850-852nm，延時光纖損耗為3.5dB/km，纖芯直徑為50μm，纖芯的折射率為1.5，光纖接頭為FC/PC。

5.按照權利要求1所述的一種852nm窄線寬半導體激光器線寬測試系統，其特征在于，所述的聲光移頻器為針對850nm設計的移頻器，工作介質為TeO₂，工作中心波長為850-852nm，移頻值為100MHz，最大插入損耗為2dB。

6.按照權利要求1所述的一種852nm窄線寬半導體激光器線寬測試系統，其特征在于，光電探測器探測為固定增益硅探測器，探測材料為Si，工作波長范圍從200nm到1100nm，在850-852nm處的響應度為0.35A/W，帶寬為150MHz，具有固定的增益模塊，放大倍數達到5000倍。

7.按照權利要求1所述的一種852nm窄線寬半導體激光器線寬測試系統，其特征在于，所述的頻譜儀用于射頻信號的頻域分析，基于傅里葉變換，通過傅里葉運算將被測信號分解成分立的頻率分量處理后獲得頻譜分布圖，帶寬為100kHz-3.6GHz，分辨率達到100Hz。