[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體晶粒線切割的方法和切割液在審

申請(qǐng)?zhí)枺?/td>	201610302352.1	申請(qǐng)日：	2016-05-10
公開（公告）號(hào)：	CN105810635A	公開（公告）日：	2016-07-27
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	陳磊;陳建民;趙麗萍;錢俊有;張文濤;蔡水占;張會(huì)超;王東勝	申請(qǐng)（專利權(quán)）人：	河南鴻昌電子有限公司
主分類號(hào)：	H01L21/78	分類號(hào)：	H01L21/78;B28D5/00
代理公司：	暫無(wú)信息	代理人：	暫無(wú)信息
地址：	461500 河南省許昌***	國(guó)省代碼：	河南;41
權(quán)利要求書：	查看更多	說(shuō)明書：	查看更多
摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	一種半導(dǎo)體晶粒切割方法
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專利分類

H 電學(xué)

H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造

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1、專利原文基于中國(guó)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專利說(shuō)明書；

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