[發明專利]反應腔室及半導體加工設備

有效

• 申請號: 201610301836.4
• 申請日: 2016-05-06
• 公開（公告）號: CN107345293B
• 公開（公告）日: 2019-07-05
• 發明（設計）人: 黎俊希
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種反應腔室，包括腔體，其特征在于，還包括密封板組件、第一密封圈、第二密封圈和第三密封圈，其中，

所述密封板組件與所述腔體對接形成封閉空間，且在所述密封板組件與所述腔體上形成有用于傳輸晶片的開口；

所述第一密封圈、第二密封圈和第三密封圈位于所述密封板組件與所述腔體的對接面之間，且自靠近所述開口的位置依次間隔設置，用以密封所述開口；并且，在所述第一密封圈和第二密封圈之間形成負壓；在所述第二密封圈和第三密封圈之間形成正壓。

2.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述腔體采用一體式的空腔結構。

3.根據權利要求2所述的反應腔室，其特征在于，所述密封板組件包括上密封板和下密封板，二者在豎直方向上相互對接，且將所述腔體嵌套在所述上密封板和下密封板之間；并且，所述腔體的側面、上表面和下表面分別為與所述上密封板和下密封板對接的對接面，在所述側面處，且圍繞所述開口環繞設置有所述第一密封圈；

在所述上表面與所述上密封板的下表面之間設置有所述第二密封圈和所述第三密封圈；在所述下表面與所述下密封板的上表面之間設置有所述第二密封圈和所述第三密封圈。

4.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述腔體由基座環、上蓋板和下蓋板組成，其中，

所述基座環包括內環部和外環部，其中，所述內環部的上端面和下端面分別與所述上蓋板和下蓋板對接，以形成所述密封空間；在所述內環部的上端面與所述上蓋板的下表面之間設置有所述第一密封圈和第二密封圈，在所述內環部的下端面與所述下蓋板的上表面之間設置有所述第一密封圈和第二密封圈；

所述密封板組件包括上密封板和下密封板，所述上密封板疊置在所述上蓋板的上表面；所述下密封板疊置在所述下蓋板的下表面；在所述上密封板的下表面的邊緣區域和所述下密封板的上表面的邊緣區域均設置有環形延伸部；所述外環部的上端面和下端面分別與所述上密封板和下密封板的環形延伸部對接；在所述外環部的上端面與所述上密封板的環形延伸部的下端面之間設置有所述第三密封圈；以及，在所述外環部的下端面與所述下密封板的環形延伸部的上端面之間設置有第三密封圈。

5.根據權利要求4所述的反應腔室，其特征在于，所述反應腔室還包括第四密封圈，在所述上蓋板的上表面與所述上密封板的下表面之間設置所述第四密封圈；以及，在所述下蓋板的下表面與所述下密封板的上表面之間設置所述第四密封圈。

6.根據權利要求5所述的反應腔室，其特征在于，分別在所述下蓋板的下表面與所述下密封板的上表面之間設置一個或多個所述第四密封圈，且多個所述第四密封圈相互嵌套、且間隔排布。

7.一種半導體加工設備，包括反應腔室，其特征在于，所述反應腔室采用權利要求1-6任意一項所述的反應腔室。

8.根據權利要求7所述的半導體加工設備，其特征在于，所述半導體加工設備為化學氣相沉積設備。