[發明專利]氮化鎵芯片及其制備方法在審
| 申請號： | 201610301799.7 | 申請日： | 2016-05-09 |
| 公開（公告）號： | CN106299071A | 公開（公告）日： | 2017-01-04 |
| 發明（設計）人： | 裴風麗 | 申請（專利權）人： | 蘇州能訊高能半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙)11371 | 代理人： | 張玲 |
| 地址： | 215300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 芯片 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州能訊高能半導體有限公司，未經蘇州能訊高能半導體有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610301799.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：基于Os襯底的外延結構及其制作方法
- 下一篇：半導體發光元件
