[發明專利]一種倒裝發光二極管及其制作方法

在審

• 申請號: 201610301781.7
• 申請日: 2016-05-09
• 公開（公告）號: CN107359222A
• 公開（公告）日: 2017-11-17
• 發明（設計）人: 楊杰;常文斌;林宇杰
• 申請（專利權）人: 上海博恩世通光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/48;H01L33/46;H01L33/36;H01L33/38
• 代理公司: 上海光華專利事務所31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種倒裝發光二極管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步驟：

步驟1)，提供一生長襯底，于所述生長襯底上形成發光外延結構，并刻蝕出N電極臺階；

步驟2)，于所述發光外延結構表面形成ITO層，并于所述ITO層中形成圖形孔洞結構；

步驟3)，于所述ITO層及圖形孔洞結構內制作Ag反射層，使得所述Ag反射層同時與ITO層及發光外延結構接觸，所述Ag反射層中定義有P焊盤區域；

步驟4)，于所述N電極臺階制作N焊盤，于所述P焊盤區域制作P焊盤。

2.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管的制作方法，其特征在于：步驟2)中，還包括：

步驟a)，采用光刻-刻蝕工藝去除切割道區域的ITO層；

步驟b)，采用光刻-刻蝕工藝對切割道區域內裸露出的發光外延結構進行刻蝕，獲得發光外延結構斜面側壁。

3.根據權利要求2所述的倒裝發光二極管的制作方法，其特征在于：步驟a)中，光刻-刻蝕工藝所采用的掩膜包括二氧化硅層及光刻膠層的疊層。

4.根據權利要求2所述的倒裝發光二極管的制作方法，其特征在于：步驟b)中，對發光外延結構進行刻蝕的深度范圍為6-8μm，所述斜面側壁的寬度范圍為1-4μm。

5.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管的制作方法，其特征在于：步驟2)中，所述圖形孔洞結構的形狀包括三角形、圓形、矩形、菱形、梯形及不規則圖形中的一種或兩種以上組合，所述圖形孔洞結構包含的圖形數量為1個或2個以上。

6.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管的制作方法，其特征在于：步驟3)包括：

步驟3-1)，于所述ITO層表面形成光刻膠；

步驟3-2)，采用曝光的方法去除欲制備Ag反射層區域的光刻膠，保留包括P焊盤區域的光刻膠；

步驟3-3)，采用蒸鍍或濺射工藝于Ag反射層區域及光刻膠表面形成Ag金屬層；

步驟3-4)，采用金屬剝離工藝去除光刻膠表面的Ag金屬層，形成Ag反射層。

7.根據權利要求1所述的倒裝發光二極管的制作方法，其特征在于：步驟4)之后還包括沉 積二氧化硅保護層的步驟。

8.一種倒裝發光二極管，其特征在于，包括：

生長襯底；

發光外延結構，形成于所述生長襯底之上，所述發光外延結構中形成有N電極臺階；

ITO層，形成于所述發光外延結構表面，所述ITO層中形成有圖形孔洞結構；

Ag反射層，形成所述ITO層及圖形孔洞結構內，并同時與ITO層及發光外延結構接觸，所述Ag反射層中定義有P焊盤區域；

N焊盤，形成于所述N電極臺階上；

P焊盤，形成于所述P焊盤區域上。

9.根據權利要求8所述的倒裝發光二極管，其特征在于：所述圖形孔洞結構的形狀包括三角形、圓形、矩形、菱形、梯形及不規則圖形中的一種或兩種以上組合，所述圖形孔洞結構包含的圖形數量為1個或2個以上。

10.根據權利要求8所述的倒裝發光二極管，其特征在于：所述發光外延結構具有斜面側壁。

11.根據權利要求10所述的倒裝發光二極管，其特征在于：所述斜面側壁的高度范圍為6-8μm，寬度為1-4μm。

12.根據權利要求8所述的倒裝發光二極管，其特征在于：還包括二氧化硅保護層，形成于所述倒裝發光二極管表面。