[發(fā)明專利]一種垂直雙擴(kuò)散MOS器件及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610301026.9 | 申請日： | 2016-05-09 |
| 公開（公告）號： | CN107359189B | 公開（公告）日： | 2020-07-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馬萬里 | 申請（專利權(quán)）人： | 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 許靜;安利霞 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 垂直 擴(kuò)散 mos 器件 及其 制作方法 | ||
本發(fā)明提供了一種垂直雙擴(kuò)散MOS器件及其制作方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，用以解決現(xiàn)有技術(shù)在VDMOS器件的源極和漏極之間加壓時(shí)，容易造成源漏之間漏電的問題。本發(fā)明實(shí)施例的制作方法包括：在N型襯底層的表面形成N型外延層；在所述N型外延層內(nèi)形成第一P?體區(qū)；在所述第一P?體區(qū)內(nèi)形成N+源區(qū)及包覆在所述N+源區(qū)周圍的第二P?體區(qū)，其中，所述N+源區(qū)的表面與所述N型外延層的表面持平。本發(fā)明實(shí)施例通過在N+源區(qū)的外圍制作一個(gè)包圍該N+源區(qū)的第二P?體區(qū)，使得耗盡區(qū)不容易擴(kuò)散開，大大降低了源漏之間穿通漏電的風(fēng)險(xiǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種垂直雙擴(kuò)散MOS器件及其制作方法。
背景技術(shù)
對于平面型垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(Vertical double diffusedmetal oxide semiconductor，VDMOS)器件，源漏之間加壓時(shí)，P-體區(qū)一側(cè)的耗盡區(qū)會向源極(N+)擴(kuò)展，如圖1中的虛線圈位置所示，當(dāng)擴(kuò)展區(qū)的距離不充分時(shí)，就容易造成源漏之間的穿通，產(chǎn)生源漏之間的漏電現(xiàn)象。如果將此距離加大，又會造成器件的尺寸增加，成本升高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種垂直雙擴(kuò)散MOS器件及其制作方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)在VDMOS器件的源極和漏極之間加壓時(shí)，容易造成源漏之間漏電的問題。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種垂直雙擴(kuò)散MOS器件的制作方法，包括：
在N型襯底層的表面形成N型外延層；
在所述N型外延層內(nèi)形成第一P-體區(qū)；
在所述第一P-體區(qū)內(nèi)形成N+源區(qū)及包覆在所述N+源區(qū)周圍的第二P-體區(qū)，其中，所述N+源區(qū)的表面與所述N型外延層的表面持平。
其中，所述在所述N型外延層內(nèi)形成第一P-體區(qū)的步驟包括：
在所述N型外延層的表面形成柵極氧化層；
在所述柵極氧化層的表面形成多晶硅層，并對所述多晶硅層進(jìn)行刻蝕處理，形成位于所述柵極氧化層表面的多晶柵極；
在所述柵極氧化層的表面及所述多晶柵極的表面進(jìn)行硼離子注入處理，形成位于所述N型外延層內(nèi)的第一P-體區(qū)。
其中，所述在所述第一P-體區(qū)內(nèi)形成N+源區(qū)及包覆在所述N+源區(qū)周圍的第二P-體區(qū)的步驟包括：
在形成源區(qū)的光刻膠圖形后，在所述多晶柵極的表面、所述柵極氧化層的表面及所述光刻膠圖形的表面進(jìn)行硼離子注入處理，在所述第一P-體區(qū)內(nèi)形成第二P-體區(qū)；
在所述多晶柵極的表面、所述柵極氧化層的表面及所述光刻膠圖形的表面進(jìn)行砷離子注入，在所述第一P-體區(qū)內(nèi)形成位于所述第二P-體區(qū)上方的N+源區(qū)，其中，所述N+源區(qū)的表面與所述N型外延層的表面持平；
去除光刻膠，并對所述第二P-體區(qū)進(jìn)行驅(qū)入處理，形成包覆在所述N+源區(qū)周圍的第二P-體區(qū)。
其中，在所述第一P-體區(qū)內(nèi)形成N+源區(qū)及包覆在所述N+源區(qū)周圍的第二P-體區(qū)的步驟之后，所述制作方法還包括：
在所述第一P-體區(qū)內(nèi)、形成包覆所述第二P-體區(qū)的部分區(qū)域的P+深體區(qū)。
其中，所述在所述第一P-體區(qū)內(nèi)、形成包覆所述第二P-體區(qū)的部分區(qū)域的P+深體區(qū)的步驟包括：
在所述多晶柵極的表面及所述柵極氧化層的表面形成氮化硅層，所述氮化硅層內(nèi)形成有一凹槽；
在所述氮化硅層的表面進(jìn)行硼離子注入處理，在所述第一P-體區(qū)內(nèi)、形成包覆所述第二P-體區(qū)的部分區(qū)域的P+深體區(qū)，其中，所述P+深體區(qū)位于所述凹槽的下方。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司，未經(jīng)北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610301026.9/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
