[發明專利]LED集成封裝結構及其封裝方法在審
| 申請號： | 201610298032.3 | 申請日： | 2016-05-06 |
| 公開（公告）號： | CN107346801A | 公開（公告）日： | 2017-11-14 |
| 發明（設計）人： | 王敏銳;桑偉華;王龍;林露;張寶順 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | H01L33/52 | 分類號： | H01L33/52;H01L33/58;H01L33/00;H01L25/075 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司44304 | 代理人： | 孫偉峰 |
| 地址： | 215123 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 集成 封裝 結構 及其 方法 | ||
1.一種LED集成封裝結構，其特征在于，包括基板、設置在所述基板上表面的封裝膠槽、以及設置于所述封裝膠槽上方的微結構層；其中，
所述封裝膠槽上開設有包括多個固晶槽的固晶槽陣列，每一個所述固晶槽內分別設置有LED芯片；
所述封裝膠槽中還設置有電路板，所述電路板上開設有與所述固晶槽陣列對應的開口，所述LED芯片通過導線與所述電路板連接，
所述封裝膠槽還填充有封裝膠層，用于對所述LED芯片、所述導線以及所述電路板進行封裝。
2.根據權利要求1所述的LED集成封裝結構，其特征在于，所述封裝膠層包括對應覆蓋于所述LED芯片、所述導線以及所述電路板表面的保護層以及覆蓋于所述保護層上的熒光層。
3.根據權利要求2所述的LED集成封裝結構，其特征在于，所述保護層的折射率大于1.5。
4.根據權利要求2所述的LED集成封裝結構，其特征在于，所述熒光層的折射率為1.43～1.5。
5.根據權利要求1所述的LED集成封裝結構，其特征在于，所述微結構層的上表面設置有納米結構，所述納米結構選自陣列設置的納米柱體、納米椎體或納米半球體中任一種。
6.根據權利要求1～5任一所述的LED集成封裝結構，其特征在于，所述微結構層的材質為聚二甲基硅氧烷，所述微結構層的折射率小于1.43。
7.一種如權利要求2所述LED集成封裝結構的封裝方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：
在所述封裝膠槽內涂覆所述保護層，使得所述LED芯片、所述導線以及所述電路板被完全覆蓋；
在固化后的保護層上涂覆所述熒光材料，使得所述熒光材料填滿所述封裝膠槽；
在所述熒光材料完全固化前將所述微結構層貼合在所述熒光材料表面，使所述熒光材料完全固化后形成所述熒光層，并使所述微結構層與所述熒光層相 互粘合。
8.根據權利要求7所述的封裝方法，其特征在于，所述保護層的折射率大于1.5。
9.根據權利要求7所述的封裝方法，其特征在于，所述熒光層的折射率為1.43～1.5。
10.根據權利要求7所述的封裝方法，其特征在于，所述微結構層的上表面設置有納米結構，所述納米結構選自陣列設置的納米柱體、納米椎體或納米半球體任一種。
11.根據權利要求7～10任一所述的封裝方法，其特征在于，所述微結構層的材質為聚二甲基硅氧烷，所述微結構層的折射率小于1.43。
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