[發明專利]一種基于暗場方差信號的圖像傳感器關鍵參數測試方法有效
| 申請號： | 201610297895.9 | 申請日： | 2016-05-06 |
| 公開（公告）號： | CN105915891B9 | 公開（公告）日： | 2018-08-24 |
| 發明（設計）人： | 溫強;劉詩暢;李立 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工程大學 |
| 主分類號： | H04N17/00 | 分類號： | H04N17/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 150001 黑龍江省哈爾濱市南崗區*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 暗場 方差 信號 圖像傳感器 關鍵 參數 測試 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于暗場均值信號的圖像傳感器關鍵參數測試方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：在暗場條件下對圖像傳感器進行曝光操作，取n個不同的曝光時間，并分別采集這n個不同曝光時間所對應的n幀暗場圖像數據；按照EMVA Standard 1288要求，在暗信號初值均值μd.0已知的基礎上，計算出n組暗場灰度值均值μy.dark，
S2：將圖像傳感器的系統增益K、暗電流μI作為遺傳算法中染色體基因，分別為Lk、LI，則染色體個體為L＝(Lk、LI)，
S3：設定遺傳算法中染色體個體適應度函數為：
其中:μd.0為暗信號初值均值，μI為暗電流,texp為曝光時間，i為曝光序數，
S4：按照遺傳算法的進化流程得出Lk、LI，即圖像傳感器系統增益K、暗電流μI的最優估計值。
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