[發明專利]金屬鍵結的發光二極管及形成金屬鍵結發光二極管的方法

有效

• 申請號: 201610297576.8
• 申請日: 2016-05-06
• 公開（公告）號: CN107346798B
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發明（設計）人: 龔正;陳怡宏;梁永隆
• 申請（專利權）人: 鼎元光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種金屬鍵結的發光二極管，其特征在于，包括：

一基板；

一第一接合金屬層，形成于該基板上，該第一接合金屬層包括：

一濕潤層，形成于該基板上，該濕潤層包括鈦或鉻；

一阻障層，形成于該濕潤層上，該阻障層包括鈀；及

一導接層，形成于該阻障層上；

一第二接合金屬層，形成于該第一接合金屬層的導接層上；

一導電氧化層，形成于該第二接合金屬層上；

一外延層，形成于該導電氧化層上；以及

一不導電氧化層，設置于該外延層及該導電氧化層之間，該不導電氧化層包括至少一接孔，該接孔連通該外延層及該導電氧化層，該接孔為一金屬材料，包括金鋅、金鈹、鉻或金。

2.如權利要求1所述金屬鍵結的發光二極管，其特征在于，其中該第二接合金屬層包括單一金屬材料或復合金屬材料。

3.如權利要求2所述金屬鍵結的發光二極管，其特征在于，其中該單一金屬材料包括金或鉻。

4.如權利要求2所述金屬鍵結的發光二極管，其特征在于，其中該復合金屬材料包括金鋅、鉻金或者金鋅金。

5.如權利要求1所述金屬鍵結的發光二極管，其特征在于，其中該基板包括硅基板。

6.如權利要求1所述金屬鍵結的發光二極管，其特征在于，其中該外延層包括磷化鋁銦鎵或砷化鎵鋁。

7.如權利要求1所述金屬鍵結的發光二極管，其特征在于，其中該導電氧化層包括氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化鎳。

8.如權利要求1所述金屬鍵結的發光二極管，其特征在于，其中該導接層包括金。

9.如權利要求1所述金屬鍵結的發光二極管，其特征在于，其中該不導電氧化層包括氮化硅、氮氧化硅或者二氧化硅。

10.一種形成金屬鍵結發光二極管的方法，其特征在于，包括：

設置一第一基板；

形成一第一接合金屬層于該第一基板上，該第一接合金屬層包括形成于該第一基板上的一濕潤層、形成于該濕潤層上的一阻障層及形成于該阻障層上的一導接層，該濕潤層包括鈦或鉻，該阻障層包括鈀；

設置一第二基板；

形成一外延層于該第二基板上；

形成一不導電氧化層于該外延層上，該不導電氧化層包括至少一接孔，該接孔為一金屬材料，包括金鋅、金鈹、鉻或金；

形成一導電氧化層于該不導電氧化層上，使該接孔連通該外延層及該導電氧化層；

形成一第二接合金屬層于該導電氧化層上；

以一溫度及一壓力鍵結該第一接合金屬層的導接層及該第二接合金屬層，其中該溫度介于250℃至500℃之間，該壓力介于3000Kg至14000Kg之間；以及

移除該第二基板。

11.如權利要求10所述形成金屬鍵結發光二極管的方法，其特征在于，其中該第二接合金屬層包括單一金屬材料或復合金屬材料。

12.如權利要求11所述形成金屬鍵結發光二極管的方法，其特征在于，其中該單一金屬材料包括金或鉻。

13.如權利要求11所述形成金屬鍵結發光二極管的方法，其特征在于，其中該復合金屬材料包括金鋅、鉻金或者金鋅金。

14.如權利要求10所述形成金屬鍵結發光二極管的方法，其特征在于，其中該第二基板包括砷化鎵基板。

15.如權利要求10所述形成金屬鍵結發光二極管的方法，其特征在于，其中該第一基板包括硅基板。

16.如權利要求10所述形成金屬鍵結發光二極管的方法，其特征在于，其中該外延層包括磷化鋁銦鎵或砷化鎵鋁。