[發(fā)明專利]一種貼片二極管的制備工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610297014.3 | 申請日: | 2016-05-06 |
| 公開(公告)號: | CN105789045B | 公開(公告)日: | 2018-12-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王志敏 | 申請(專利權)人: | 王志敏 |
| 主分類號: | H01L21/329 | 分類號: | H01L21/329 |
| 代理公司: | 北京一格知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
| 地址: | 226500 江蘇省南*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 二極管 制備 工藝 | ||
1.一種貼片二極管的制備工藝,其特征在于:所述制備工藝具體步驟如下:
(1)合金:取焊片和擴散片,按焊片→擴散片→焊片的順序,依次堆疊好,然后將堆疊好的材料置于高頻合金爐內進行合金加熱,使擴散片與焊片相互結合后形成良好的合金;
(2)劃片:將步驟(1)中形成的合金放入自動劃片機內,并且按照二極管芯片圖形的尺寸要求對合金進行切割,形成單個芯片;
(3)酸洗:將步驟(2)中的單個芯片,放置在酸溶液內進行酸洗,去除劃片過程中對芯片造成的機械損傷;
(4)焊接:將酸洗后的芯片的P、N端分別與上、下引線焊接固定;
(5)堿洗:將焊接固定的芯片和引線放置于堿溶液內進行堿洗,去除焊接中的二氧化硅氧化層,同時粗化芯片表面,以便在后續(xù)工序中加強芯片與芯片護封用膠的連接緊密性;
(6)灌膠:灌膠前,在芯片外形成一個環(huán)繞在芯片外圍的環(huán)形間隙,然后向環(huán)形間隙內灌入芯片護封用膠,使芯片護封用膠環(huán)繞在芯片外側壁表面;
(7)膠固化:將灌膠后的芯片和引線進行芯片護封膠用固化,直至固化完全;
(8)塑封:膠固化后,對芯片和引線進行塑封,通過塑封工序,形成一包裹芯片及引線的塑封結構;
(9)后固化:將塑封后的塑封結構進行后固化,使得交聯(lián)反應更加徹底,而使芯片、引線與塑封結構進一步粘結成一體;所述步驟(6)灌膠工序中,芯片護封用膠使用常溫固化膠或高溫固化膠,并通過灌注針頭將芯片護封用膠灌注至芯片環(huán)形間隙中,灌注時,灌注針頭通過N2加壓進行灌注,N2壓力控制在0.5-2.0kgf/cm2,灌注時間為5-10S。
2.根據(jù)權利要求1所述的貼片二極管的制備工藝,其特征在于:所述步驟(3)的酸洗分為三個階段,第一階段采用質量比為2-4:6-8:3-6的HNO3、HF、H3PO4的混合酸,酸洗150-300S,酸溫控制在5-15℃;第二階段采用質量濃度為10-20%的HNO3溶液,酸洗20-60S,酸溫控制在5-35℃;第三階段采用質量濃度為2-8%的HF溶液,酸洗20-60S,酸溫控制在5-35℃。
3.根據(jù)權利要求1所述的貼片二極管的制備工藝,其特征在于:所述步驟(5)的堿洗采用質量濃度為2-15%的KOH溶液,堿洗60-180S,堿液溫度控制在60-100℃。
4.根據(jù)權利要求1所述的貼片二極管的制備工藝,其特征在于:所述芯片的外圍被灌注芯片護封用膠后,再通過超聲波振動,使灌注均勻,無氣孔產(chǎn)生。
5.根據(jù)權利要求1所述的貼片二極管的制備工藝,其特征在于:所述步驟(8)的塑封中塑封材料為低溫固化AB膠、高溫固化AB膠或傳統(tǒng)環(huán)氧樹脂。
6.根據(jù)權利要求1所述的貼片二極管的制備工藝,其特征在于:在所述焊接工序前,在貼片二極管下引線的芯片連接端設置一可容納芯片的凹坑,接著將芯片置于凹坑內,然后將芯片與上、下引線焊接固定,使凹坑的內側壁與芯片側壁之間形成一個環(huán)繞在芯片外圍的環(huán)形間隙;在塑封工序中,通過塑封,在引線外形成一包裹芯片及引線的塑封結構。
7.根據(jù)權利要求1所述的貼片二極管的制備工藝,其特征在于:在所述灌膠工序前,將堿洗后的芯片及引線置于一上端開口的塑封殼體中,使塑封殼體的內側壁與芯片側壁之間形成一個在芯片外圍的環(huán)形間隙;在塑封工序中,通過塑封,在塑封殼體外形成一包裹芯片及引線的塑封結構。
8.根據(jù)權利要求1所述的貼片二極管的制備工藝,其特征在于:在所述灌膠工序前,預制一塑封外殼,該塑封外殼底部中心具有一個高度低于塑封外殼的芯片內殼,且芯片內殼上端開口;然后將堿洗后的芯片及引線置于芯片內殼中,使芯片內殼的內側壁與芯片側壁之間形成一個在芯片外圍的環(huán)形間隙;在塑封工序中,向塑封外殼中灌入環(huán)氧樹脂填料,使填料與塑封外殼形成一包裹芯片及引線的塑封結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于王志敏,未經(jīng)王志敏許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610297014.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:用于制造半導體器件的方法
- 下一篇:一種具備嵌入式保護套的微通道板
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





