[發明專利]壓電膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201610296599.7 | 申請日： | 2016-05-06 |
| 公開（公告）號： | CN107346802B | 公開（公告）日： | 2020-08-07 |
| 發明（設計）人： | 張小飛;吳勝強;李令英;周巖;李鵬;錢波;謝永林 | 申請（專利權）人： | 上海銳爾發數碼科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L41/39 | 分類號： | H01L41/39;H01L41/43;H01L41/18;H01L41/187;C04B35/491;C04B35/453 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人： | 孫偉峰 |
| 地址： | 201799 上海市青浦區滬青平公路*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 壓電 及其 制備 方法 | ||
1.一種壓電膜的制備方法，其特征在于，包括：
配制穩態液相前驅體；其中，所述穩態液相前驅體的組成與所述壓電膜的組成相匹配；
提供一基底，在所述基底的表面上制備凸起作為應力釋放結構；
在所述基底及所述凸起的表面上依次疊層制備隔離層、電極層后，形成襯底；
制備壓電膜：將所述穩態液相前驅體涂覆在所述襯底的遠離所述基底的表面，然后進行初步退火；
其中，所述隔離層、所述電極層和所述壓電膜具有與所述凸起的形狀相應的形貌，所述凸起的高度為0.1μm～20μm，所述凸起在所述基底的表面上的投影面積為0.1μm2～500μm2。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：
重復所述制備壓電膜的步驟，直至所述壓電膜的累計厚度達到0.5μm～20μm，然后進行晶化退火。
3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述凸起以陣列方式排布于所述基底的表面上。
4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述凸起的形狀選自球體、正方體、長方體、圓柱體、錐體中的任意一種或至少兩種的組合。
5.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，在形成所述襯底的步驟時，還包括在所述電極層上形成晶種層。
6.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述穩態液相前驅體中含有成膜劑。
7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述成膜劑選自甲酰胺、辛烷、乙酸、乙酰丙酮、聚乙烯吡咯烷酮、β-二酮類化合物中的任意一種或至少兩種的混合。
8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述成膜劑的物質的量與所述壓電膜的組成中金屬離子的總物質的量之比為0.03:100～500:100。
9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述初步退火的溫度為150℃～300℃，時間為2min～15min。
10.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述初步退火的溫度為150℃～300℃，時間為2min～15min；所述晶化退火的溫度為550℃～700℃，時間為5min～60min。
11.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述壓電膜的材質選自鋯鈦酸鉛、摻雜的鋯鈦酸鉛、鈦酸鉍鈉、鈦酸鋇、AlN、ZnO中的任意一種。
12.一種根據權利要求1至11任一項所述的制備方法制備獲得的壓電膜。
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