[發明專利]真空蒸鍍晶板鍍膜裝置和真空蒸鍍晶板鍍膜方法

在審

• 申請號: 201610296002.9
• 申請日: 2016-05-08
• 公開（公告）號: CN105734497A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 陳磊;陳建民;趙麗萍;錢俊有;張文濤;蔡水占;張會超;王東勝
• 申請（專利權）人: 河南鴻昌電子有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及致冷件生產技術領域的設備和方法，具體地說是真空蒸鍍晶板鍍膜裝置和真空蒸鍍晶板鍍膜方法。

背景技術

致冷件包括晶粒和瓷板，所述的晶粒主要成分是三碲化二鉍，晶粒是由晶板切割而成的，將晶粒焊接在瓷板上之前需要在晶粒的表面形成一層鍍膜——鎳、鈀或銀層，以便晶粒和瓷板很好地結合。

現有技術中，使用的是熱噴涂裝置將鍍膜材料結合在晶板上的，這樣的裝置具有鍍膜材料（鎳、鈀或銀）浪費嚴重、環保性能差、鎳和晶板結合力量差的缺點。

采用熱噴涂的裝置和方法將鍍膜材料（鎳、鈀或銀）熱熔化并噴涂到晶板上，也具有鍍膜材料浪費嚴重、環保性能差、鍍膜和晶板結合力量差的缺點。

發明內容

本發明的目的就是針對上述缺點，提供一種節省耗材、減少浪費、環保性好、鍍膜和晶板結合力量好的真空蒸鍍晶板鍍膜裝置，還提供一種節省耗材、減少浪費、環保性好、鎳和晶板結合力量好的真空蒸鍍晶板鍍膜方法。

本發明真空蒸鍍致冷件晶板鍍膜裝置這樣實現的：真空蒸鍍晶板鍍膜裝置，其特征是:包括柜體，在柜體上具有傳送裝置,柜體具有密閉結構和抽真空裝置，在傳送裝置上面安裝真空蒸鍍裝置，所述的傳送裝置上具有晶板的放置盤。

進一步地講，柜體內還設置有除塵裝置和靜電釋放裝置。

本發明真空蒸鍍晶板鍍膜方法是這樣實現的：離真空蒸鍍晶板鍍膜方法，將晶板放置在真空蒸鍍裝置里面下面進行鍍膜，鍍膜的耗材是鎳、鈀或銀，可以形成一層鍍膜的半導體晶板。

較好的技術方案是：在晶板真空蒸鍍之前用先1-2%的鹽酸溶液清洗，直接烘干，再進行真空蒸鍍。

本發明的有益效果是：這樣的真空蒸鍍晶板鍍膜裝置可以生產出節省耗材、減少浪費、環保性好、鍍膜和晶板結合力量好的致冷件晶板鍍膜，還具有保護晶板的優點。

這樣的真空蒸鍍晶板鍍膜方法具有節省耗材、減少浪費、環保性好、鎳和晶板結合力量好的優點，在晶板真空蒸鍍之前用先1-2%的鹽酸溶液清洗，直接烘干，再進行真空蒸鍍，具有鍍層更牢固的優點，還具有保護晶板的優點。

附圖說明

圖1是本發明真空蒸鍍晶板鍍膜裝置的結構示意圖。

其中：1、柜體2、傳送裝置3、抽真空裝置4、真空蒸鍍裝置5、放置盤6、除塵裝置7、靜電釋放裝置。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明作進一步的說明。

如圖1所示，真空蒸鍍晶板鍍膜裝置，其特征是:包括柜體1，在柜體上具有傳送裝置2,柜體具有密閉結構和抽真空裝置3，在傳送裝置上面安裝真空蒸鍍裝置4，所述的傳送裝置上具有晶板的放置盤5。

這樣晶板就可以放置在放置盤上進行真空蒸鍍，形成鍍層，與熱噴涂裝置相比，產生的鍍膜具有節省耗材、減少浪費、環保性好、鍍膜和晶板結合力量好的優點。

進一步地講，柜體內還設置有除塵裝置6和靜電釋放裝置7。

這樣在真空蒸鍍之前，可以對晶板進行除塵和對柜體內釋放靜電，保證鍍層效果更好。

實施例1

a、將晶板放置經過熱噴涂，噴涂材料用鎳，形成第一晶板，其利用率達到10%，散落到周圍環境中的鎳為90%,用這樣的晶板制作半導體致冷件，承受能力較差。

實施例2

a、將晶板放置經過真空蒸鍍，鍍材材料用鎳，形成第二晶板，其利用率達到40%，散落到周圍環境中的鎳為60%,用這樣的晶板制作半導體致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的結合力）較好，瓷板無損傷。

實施例3

a、在晶板蒸鍍之前用先1%的鹽酸溶液清洗，直接烘干，將晶板經過真空蒸鍍，鍍材材料用鎳，形成第三晶板，其利用率達到40%，散落到周圍環境中的鎳為60%,用這樣的晶板制作半導體致冷件，鍍膜更牢固，承受能力（即晶粒和瓷板的結合力）較好，破壞鍍膜的力量增加20%，瓷板無損傷。

實施例4

a、在晶板蒸鍍之前用先2%的鹽酸溶液清洗，直接烘干，將晶板經過真空蒸鍍，鍍材材料用鎳，形成第四晶板，其利用率達到40%，散落到周圍環境中的鎳為60%,用這樣的晶板制作半導體致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的結合力）較好，破壞鍍膜的力量增加23%，瓷板無損傷。

實施例5

a、在晶板蒸鍍之前用先1.5%的鹽酸溶液清洗，直接烘干，將晶板經過真空蒸鍍，鍍材材料用鎳，形成第四晶板，其利用率達到40%，散落到周圍環境中的鎳為60%,用這樣的晶板制作半導體致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的結合力）最好.破壞鍍膜的力量增加25%，瓷板無損傷。