[發(fā)明專(zhuān)利]二極管的制備方法和二極管

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610294894.9
• 申請(qǐng)日: 2016-05-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107346735A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李理;趙圣哲;馬萬(wàn)里
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/329
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/329;H01L29/861;H01L29/06
• 代理公司: 北京友聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11343
• 代理人: 尚志峰,汪海屏

1.一種二極管的制備方法，其特征在于，包括：

在形成N型外延層的N型襯底上，依次形成柵氧化層、多晶硅層和隔離氧化層；

在所述隔離氧化層的上方形成圖形化掩膜后，采用各向同性腐蝕工藝對(duì)所述隔離氧化層進(jìn)行刻蝕；

基于所述圖形化掩膜依次對(duì)所述多晶硅層和所述柵氧化層進(jìn)行各向異性刻蝕，并繼續(xù)刻蝕掉指定厚度的N型外延層，以形成所述N型外延層的注入窗口；

去除所述圖形化掩膜，以暴露出所述多晶硅層的注入預(yù)留區(qū)域，通過(guò)所述注入窗口在所述N型外延層中形成P-型體區(qū)；

在所述注入預(yù)留區(qū)域下方的N型外延層中形成P-型溝道；

在形成所述P-型溝道后，去除所述隔離氧化層；

在去除所述隔離氧化層的N型襯底上形成金屬電極，以完成所述二極管的制備。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二極管的制備方法，其特征在于，在形成N型外延層的N型襯底上，依次形成柵氧化層、多晶硅層和隔離氧化層，具體包括以下步驟：

采用溫度范圍為900～1200℃的熱氧化工藝在所述N型外延層上形成所述柵氧化層；

在所述柵氧化層的上方，采用溫度范圍為500～800℃的化學(xué)氣相淀積工藝形成所述多晶硅層；

在所述多晶硅層的上方，采用化學(xué)氣相淀積工藝形成正硅酸乙酯層，以作為所述隔離氧化層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的二極管的制備方法，其特征在于，在所述多晶硅層的上方，采用化學(xué)氣相淀積工藝形成正硅酸乙酯層，以作為所述隔離氧化層，具體包括以下步驟：

在所述多晶硅層的上方，采用溫度范圍為300～900℃，壓力范圍為0.1～0.5托的化學(xué)氣相淀積工藝形成所述正硅酸乙酯層，以作為所述隔離 氧化層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的二極管的制備方法，其特征在于，在所述隔離氧化層的上方形成圖形化掩膜后，采用各向同性腐蝕工藝對(duì)所述隔離氧化層進(jìn)行刻蝕，具體包括以下步驟：

采用光刻工藝在所述隔離氧化層的上方形成光刻膠掩膜，以作為所述圖形化掩膜；

采用指定濃度的氫氟酸溶液對(duì)所述隔離氧化層進(jìn)行濕法腐蝕，以各向同性刻蝕所述隔離氧化層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的二極管的制備方法，其特征在于，通過(guò)所述注入窗口在所述N型外延層中形成P-型體區(qū)，同時(shí)在所述注入預(yù)留區(qū)域下方的N型外延層中形成P-型溝道，具體包括以下步驟：

通過(guò)所述注入窗口，對(duì)所述N型外延層和所述注入預(yù)留區(qū)域進(jìn)行P-型離子注入，并經(jīng)過(guò)退火處理分別形成所述P-型體區(qū)和所述P-型溝道，

其中，所述P-型離子注入的劑量范圍為1E15～1E20/cm²，所述P-型離子注入的能量范圍為40～100keV。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的二極管的制備方法，其特征在于，所述退火處理的溫度范圍為400～1200℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的二極管的制備方法，其特征在于，在形成所述P-型溝道后，去除所述隔離氧化層，具體包括以下步驟：

在形成所述P-型溝道后，采用氫氟酸溶液去除所述隔離氧化層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的二極管的制備方法，其特征在于，在形成所述P-型溝道后，去除所述隔離氧化層，具體包括以下步驟：

在形成所述P-型溝道后，采用四氟化碳?xì)怏w去除所述隔離氧化層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的二極管的制備方法，其特征在于，在形成所述隔離氧化層的N型襯底上形成金屬電極，以完成所述二極管的制備，具體包括以下步驟：

通過(guò)金屬濺射工藝在去除所述隔離氧化層的N型襯底上形成鋁-硅-銅復(fù)合金屬層，以完成所述二極管的制備。

10.一種二極管，其特征在于，采用如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的二極管的制備方法制備而成。