[發明專利]互補金屬氧化物半導體影像感測器及形成方法

有效

• 申請號: 201610294777.2
• 申請日: 2016-05-06
• 公開（公告）號: CN107346775B
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 吳揚;依那.派翠克;張宇軒;金起弘;郁飛霞
• 申請（專利權）人: 恒景科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種互補金屬氧化物半導體影像感測器，包含：

基底；

第一型的晶體層，形成于該基底上；

光二極管，形成于該晶體層內；

至少一個第一型的摻雜阱區，形成于該晶體層內；

傳輸柵，形成于該晶體層的頂面，該傳輸柵部分覆蓋該光二極管的邊緣及該摻雜阱區的邊緣；

浮動擴散節點，位于該摻雜阱區內；及

第二型的注入區，形成于該晶體層內，該注入區的部分結合該光二極管、該摻雜阱區及該浮動擴散節點，且該注入區被該傳輸柵的通道整個覆蓋，

其中該注入區的一部分具楔形，其寬度隨遠離該光二極管而逐漸改變。

2.根據權利要求1所述的互補金屬氧化物半導體影像感測器，還包含一傳輸柵通道注入，形成于該晶體層的頂部。

3.根據權利要求1所述的互補金屬氧化物半導體影像感測器，其中該浮動擴散節點被該傳輸柵部分覆蓋。

4.根據權利要求1所述的互補金屬氧化物半導體影像感測器，包含前照式互補金屬氧化物半導體影像感測器或后照式互補金屬氧化物半導體影像感測器。

5.根據權利要求1所述的互補金屬氧化物半導體影像感測器，其中該注入區距離該晶體層的頂面一段距離。

6.根據權利要求2所述的互補金屬氧化物半導體影像感測器，其中該注入區未碰觸該傳輸柵通道注入，但是在該注入區結合該浮動擴散節點處，該注入區碰觸到該傳輸柵通道注入。

7.一種形成互補金屬氧化物半導體影像感測器的方法，包含：

提供一基底；

形成一第一型的晶體層于該基底上；

形成一第二型的注入區于該晶體層內；

形成至少一個第一型的摻雜阱區于該晶體層內，該注入區的部分結合該摻雜阱區；

形成一傳輸柵于該晶體層的頂面，該傳輸柵部分覆蓋該摻雜阱區的邊緣，該注入區被該傳輸柵的通道整個覆蓋；

形成一光二極管于該晶體層內，該注入區的部分結合該光二極管；及

執行源極/漏極注入以形成一浮動擴散節點于該摻雜阱區內，該注入區的部分結合該浮動擴散節點，

其中該注入區的一部分具楔形，其寬度隨遠離該光二極管而逐漸改變。

8.根據權利要求7所述形成互補金屬氧化物半導體影像感測器的方法，還包含一步驟以形成一傳輸柵通道注入于該晶體層的頂部。

9.根據權利要求7所述形成互補金屬氧化物半導體影像感測器的方法，其中該浮動擴散節點被該傳輸柵部分覆蓋。

10.根據權利要求7所述形成互補金屬氧化物半導體影像感測器的方法，其中該互補金屬氧化物半導體影像感測器包含前照式互補金屬氧化物半導體影像感測器或后照式互補金屬氧化物半導體影像感測器。

11.根據權利要求7所述形成互補金屬氧化物半導體影像感測器的方法，其中該注入區距離該晶體層的頂面一段距離。

12.根據權利要求8所述形成互補金屬氧化物半導體影像感測器的方法，其中該注入區未碰觸該傳輸柵通道注入，但是在該注入區結合該浮動擴散節點處，該注入區碰觸到該傳輸柵通道注入。