[發明專利]電化學電容器有效
| 申請號: | 201610293934.8 | 申請日: | 2010-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN105719841B | 公開(公告)日: | 2019-05-14 |
| 發明(設計)人: | 栗城和貴;荻野清文;斎藤祐美子 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | H01G11/02 | 分類號: | H01G11/02;H01G11/10;H01G11/56;H01G11/62;H01G11/72;H01G11/76 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 葉曉勇;付曼 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電化學 電容器 | ||
1.一種電化學電容器,包括:
基板;
所述基板的第一區域上的第一電極,所述第一電極包括第一活性材料和與所述第一活性材料接觸的第一集流器;
所述基板的第二區域上的第二電極,所述第二電極包括第二活性材料和與所述第二活性材料接觸的第二集流器;以及
固體電解質,覆蓋所述第一電極和所述第二電極的每個的上表面和側面,
其中,在橫截面視圖中,所述第一電極的所述上表面和所述第二電極的所述上表面的每個具有凹狀部分,并且
其中,在橫截面視圖中,所述固體電解質具有凹凸狀。
2.根據權利要求1所述的電化學電容器,
其中所述第一電極是正電極,以及
其中所述第二電極是負電極。
3.一種電化學電容器 包括:
基板;
所述基板的第一區域上的第一集流器和第一活性材料;
所述基板的第二區域上的第二集流器和第二活性材料;以及
電解質,覆蓋所述第一集流器和所述第二集流器的側面以及所述第一活性材料和所述第二活性材料的上表面和側面,
其中,在橫截面視圖中,所述第一集流器和所述第二集流器的每個具有凹狀部分。
4.根據權利要求3所述的電化學電容器,
其中所述第一集流器和所述第一活性材料是正電極集流器和正電極活性材料,以及
其中所述第二集流器和所述第二活性材料是負電極集流器和負電極活性材料。
5.根據權利要求3所述的電化學電容器,其中所述第一集流器包括鋁、鎳、鈦、銅、金、銀、鉑、鈷、導電碳和導電聚合物中的至少一個。
6.根據權利要求3所述的電化學電容器,其中所述第二集流器包括鋁、鎳、鈦、銅、金、銀、鉑和鈷中的至少一個。
7.根據權利要求3所述的電化學電容器,其中所述第一活性材料包括氧化釕、氧化銥、氧化鈷、氧化錳、氧化鎢、氧化鈮和氧化鐵中的至少一個。
8.根據權利要求3所述的電化學電容器,其中所述第二活性材料包括氧化釕、氧化銥、氧化鈷、氧化錳、氧化鎢、氧化鈮和氧化鐵中的至少一個。
9.根據權利要求1或3所述的電化學電容器,其中所述基板包括塑料。
10.根據權利要求3所述的電化學電容器,其中所述電解質是固體電解質,
并且,在所述橫截面視圖中,所述固體電解質具有凹凸狀。
11.根據權利要求1或10所述的電化學電容器,其中所述固體電解質包括硫酸氫銫、磷酸氫銫、氧化硅、包含氫的非晶半導體和包含氫的氧化物半導體中的一個。
12.根據權利要求11所述的電化學電容器,其中所述非晶半導體是非晶硅、非晶硅鍺和非晶鍺中的一個。
13.根據權利要求11所述的電化學電容器,其中所述氧化物半導體是氧化鋅、氧化鈦、氧化鎳、氧化釩、氧化錫和氧化銦中的一個。
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