[發明專利]一種半導體器件及其制造方法和電子裝置

有效

• 申請號: 201610293388.8
• 申請日: 2016-05-05
• 公開（公告）號: CN107346746B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 李海艇;葛洪濤;孫曉;房蘇陽
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/485
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一襯底，在所述第一襯底的第一表面一側形成包括晶體管和第一互連結構的前端器件，所述前端器件包括形成于所述第一襯底的所述第一表面上的射頻器件，以及位于所述晶體管外側的第二互連結構，在所述第一表面上還形成有接合材料層；

提供第二襯底，在所述第二襯底的表面上形成有捕獲層，所述捕獲層包括多晶硅或無定型硅；

通過鍵合工藝將所述捕獲層與所述接合材料層鍵合，以使所述第二襯底與所述第一襯底相接合。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述接合材料層包括氧化物層。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法還進一步包括：

從所述第一襯底的與所述第一表面相對的第二表面一側對所述第一襯底進行減薄處理；

在所述第一襯底的所述第二表面形成與所述第二互連結構中的金屬層電連接的硅通孔；

在所述硅通孔以及部分所述第一襯底的所述第二表面上形成焊盤，所述焊盤與所述硅通孔相連。

4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述方法還進一步包括：

形成覆蓋所述第一襯底的所述第二表面但暴露出所述焊盤的打線區的鈍化層。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一襯底為絕緣體上硅襯底，包括自下而上的體硅、氧化埋層和頂層硅。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述前端器件和所述第二互連結構之間還形成有無源器件及其互連結構。

7.一種半導體器件，其特征在于，包括：

第一襯底，在所述第一襯底的第一表面一側形成有包括晶體管和第一互連結構的前端器件以及位于所述晶體管外側的第二互連結構，所述前端器件包括形成于所述第一襯底的所述第一表面上的射頻器件；

接合材料層，位于所述第一襯底的所述第一表面上；

第二襯底；

捕獲層，位于所述第二襯底的表面，所述捕獲層包括多晶硅或無定型硅；

其中，所述第二襯底通過捕獲層與所述第一襯底的接合材料層鍵合，以與所述第一襯底相接合。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述接合材料層包括氧化物層。

9.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包括權利要求7或8所述的半導體器件。