[發(fā)明專利]晶圓凸塊的制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610292986.3
• 申請日: 2016-05-05
• 公開（公告）號: CN107346742A
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孟津
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅,李時云

1.一種晶圓凸塊的制備方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面包括具有多個開口的層間介質(zhì)層，所述開口中具有底層金屬層；

在所述開口中涂覆助焊劑，所述助焊劑中具有顏色與所述底層金屬層的顏色不同的顏料；

對所述多個開口中的所述助焊劑的涂覆情況進行檢測；

在所述開口中形成錫球，對所述錫球進行一熱處理過程，所述錫球形成球冠狀的凸塊。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓凸塊的制備方法，其特征在于，所述顏料為不與所述助焊劑發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的顏料。

3.如權(quán)利要求2所述的晶圓凸塊的制備方法，其特征在于，所述助焊劑還包括醇類有機物和醛類有機物，所述助焊劑呈弱酸性。

4.如權(quán)利要求3所述的晶圓凸塊的制備方法，其特征在于，所述顏料為醇類有機物或醚類有機物。

5.如權(quán)利要求2或3或4所述的晶圓凸塊的制備方法，其特征在于，所述顏料呈弱酸性。

6.如權(quán)利要求5所述的晶圓凸塊的制備方法，其特征在于，所述顏料為呈藍紫色的石蕊。

7.如權(quán)利要求1所述的晶圓凸塊的制備方法，其特征在于，所述顏料占所述助焊劑的質(zhì)量分數(shù)的萬分之一以下。

8.如權(quán)利要求1所述的晶圓凸塊的制備方法，其特征在于，采用光學(xué)模組對所述助焊劑的涂覆情況進行檢測。

9.如權(quán)利要求8所述的晶圓凸塊的制備方法，其特征在于，若所述開口呈所述顏料的顏色，則所述開口中的所述助焊劑涂覆完好。

10.如權(quán)利要求1所述的晶圓凸塊的制備方法，其特征在于，所述底層金屬層為銅金屬層，所述底層金屬層的厚度為5μm～40μm。

11.如權(quán)利要求1所述的晶圓凸塊的制備方法，其特征在于，所述錫球的材料為錫銀合金、錫銀銅合金或者錫銀鉍合金。

12.如權(quán)利要求11所述的晶圓凸塊的制備方法，其特征在于，所述錫球的直徑為50μm～500μm。

13.如權(quán)利要求1所述的晶圓凸塊的制備方法，其特征在于，熱處理過程中的溫度為200℃-300℃。

14.如權(quán)利要求1所述的晶圓凸塊的制備方法，其特征在于，相鄰的所述開口之間的距離為50μm～500μm。

15.如權(quán)利要求1所述的晶圓凸塊的制備方法，其特征在于，所述開口中具有位于所述半導(dǎo)體襯底與所述底層金屬層之間的金屬接觸墊。