[發明專利]氮化物半導體紫外線發光元件的制造方法有效
| 申請號： | 201610292860.6 | 申請日： | 2011-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN105742442B | 公開（公告）日： | 2018-10-09 |
| 發明（設計）人： | 西瑞爾·佩諾特;平野光 | 申請（專利權）人： | 創光科學株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/32 | 分類號： | H01L33/32;H01L33/16;H01L33/38 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 韓聰 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 半導體 紫外線 發光 元件 制造 方法 | ||
1.一種氮化物半導體紫外線發光元件的制造方法，所述氮化物半導體紫外線發光元件的發光波長為200nm至365nm，所述氮化物半導體紫外線發光元件的制造方法的特征在于，包括：
使AlN層在藍寶石(0001)基板的(0001)面上結晶生長，形成包括所述基板和所述AlN層的基底結構部的工序；以及
在所述基底結構部的結晶表面上，形成發光元件結構部的工序，所述發光元件結構部包含n型AlGaN系半導體層的n型包覆層、具有AlGaN系半導體層的活性層、和p型AlGaN系半導體層的p型包覆層，
所述基板的(0001)面以0.6°以上且3.0°以下的偏離角發生傾斜，
所述n型包覆層的AlN摩爾分數為50％以上。
2.根據權利要求1所述的氮化物半導體紫外線發光元件的制造方法，其特征在于，
所述偏離角為0.6°以上且2.0°以下。
3.根據權利要求1所述的氮化物半導體紫外線發光元件的制造方法，其特征在于，
所述偏離角為1.0°以上且2.5°以下。
4.根據權利要求1所述的氮化物半導體紫外線發光元件的制造方法，其特征在于，
在形成所述基底結構部的工序中，在1150～1300℃的溫度下使所述AlN層結晶生長。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的氮化物半導體紫外線發光元件的制造方法，其特征在于，
在形成所述基底結構部的工序中，使所述AlN層結晶生長為2.2μm以上且6.6μm以下的膜厚。
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