[發(fā)明專利]柵極側(cè)扇出區(qū)域電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610292187.6
• 申請(qǐng)日: 2016-05-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105788550B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃笑宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/36
• 分類號(hào): G09G3/36
• 代理公司: 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;侯藝

1.一種柵極側(cè)扇出區(qū)域電路，其特征在于，包括柵極芯片組和電路模塊組，

所述柵極芯片組包括N個(gè)柵極芯片，其中，N為大于等于2的正整數(shù)；

所述電路模塊組根據(jù)所述N個(gè)柵極芯片提供的輸入信號(hào)產(chǎn)生并輸出相應(yīng)的輸出信號(hào)；

顯示裝置的時(shí)序控制器偵測(cè)從電路模塊組產(chǎn)生的輸出信號(hào)，并基于偵測(cè)到的輸出信號(hào)來(lái)控制顯示裝置的顯示模式，所述顯示模式包括正常顯示模式和異形顯示模式；所述顯示裝置在所述異形顯示模式下的垂直分辨率小于所述顯示裝置在所述正常顯示模式下的垂直分辨率。

2.如權(quán)利要求1所述的柵極側(cè)扇出區(qū)域電路，其特征在于，所述電路模塊組包括N個(gè)并聯(lián)的電路模塊，每個(gè)電路模塊根據(jù)相應(yīng)的柵極芯片提供的輸入信號(hào)產(chǎn)生并輸出相應(yīng)的輸出信號(hào)，

其中，所述N個(gè)柵極芯片與所述N個(gè)并聯(lián)的電路模塊一一對(duì)應(yīng)。

3.如權(quán)利要求2所述的柵極側(cè)扇出區(qū)域電路，其特征在于，每個(gè)電路模塊將產(chǎn)生的輸出信號(hào)輸出到源極側(cè)扇出區(qū)域的源極芯片組中的相應(yīng)的源極芯片，

其中，源極芯片組包括N個(gè)源極芯片，所述N個(gè)源極芯片與所述N個(gè)并聯(lián)的電路模塊一一對(duì)應(yīng)。

4.如權(quán)利要求3所述的柵極側(cè)扇出區(qū)域電路，其特征在于，顯示裝置的時(shí)序控制器偵測(cè)源極芯片從電路模塊接收的輸出信號(hào)，并基于偵測(cè)到的輸出信號(hào)來(lái)控制顯示裝置的顯示模式。

5.如權(quán)利要求2所述的柵極側(cè)扇出區(qū)域電路，其特征在于，所述N個(gè)電路模塊中的每個(gè)電路模塊為一個(gè)開(kāi)關(guān)，其中，每個(gè)開(kāi)關(guān)響應(yīng)于相應(yīng)的柵極芯片提供的輸入信號(hào)導(dǎo)通或截止。

6.如權(quán)利要求5所述的柵極側(cè)扇出區(qū)域電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)為NMOS晶體管。

7.如權(quán)利要求4所述的柵極側(cè)扇出區(qū)域電路，其特征在于，所述顯示裝置具有N種顯示模式。

8.如權(quán)利要求1所述的柵極側(cè)扇出區(qū)域電路，其特征在于，所述N個(gè)柵極芯片中的每個(gè)柵極芯片為薄膜上柵極芯片。

9.如權(quán)利要求3所述的柵極側(cè)扇出區(qū)域電路，其特征在于，所述N個(gè)源極芯片中的每個(gè)源極芯片為薄膜上源極芯片。