[發(fā)明專利]超結(jié)功率器件的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610290915.X
• 申請(qǐng)日: 2016-05-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107346738B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙圣哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 張洋;劉芳

1.一種超結(jié)功率器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底，并在所述襯底的表面上生長(zhǎng)外延層；

在所述外延層上制作第一P型柱和第二P型柱，所述第一P型柱和第二P型柱相離設(shè)置；

在所述第一P型柱和所述第二P型柱的表面上進(jìn)行離子注入，形成注入?yún)^(qū)，以降低所述第一P型柱和所述第二P型柱表面上的離子濃度，所述注入?yún)^(qū)的深度小于所述第一P型柱和第二P型柱的深度；

在所述第一P型柱和第二P型柱內(nèi)制作源區(qū)，所述源區(qū)的深度大于所述離子注入的深度，小于所述第一P型柱和所述第二P型柱的深度；

制作器件的柵氧化層、柵極、介質(zhì)層以及金屬層；

其中，制作源區(qū)之前不制作體區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述外延層上制作第一P型柱和第二P型柱，包括：

通過(guò)刻蝕工藝在所述外延層上刻蝕第一溝槽和第二溝槽，所述第一溝槽和所述第二溝槽的深度小于所述外延層的深度；

通過(guò)外延工藝在所述第一溝槽內(nèi)形成所述第一P型柱，在所述第二溝槽內(nèi)形成所述第二P型柱。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一P型柱和所述第二P型柱的寬度為6微米或7微米；

所述第一P型柱與所述第二P型柱之間的距離為3微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述離子注入的離子為磷離子，所述磷離子的注入劑量為1×10¹⁴個(gè)/cm²～8×10¹⁴個(gè)/cm²，注入能量為50KeV。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一P型柱和第二P型柱內(nèi)制作源區(qū)，包括：

通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)工藝在所述第一P型柱內(nèi)制作第一源區(qū)和第二源區(qū)，并在所述第二P型柱內(nèi)制作第三源區(qū)和第四源區(qū)；

其中，所述第一源區(qū)和所述第二源區(qū)相離設(shè)置，所述第一源區(qū)和所述第二源區(qū)的深度大于所述注入?yún)^(qū)的深度，小于所述第一P型柱的深度；

所述第三源區(qū)和所述第四源區(qū)相離設(shè)置，所述第三源區(qū)和所述第四源區(qū)的深度大于所述注入?yún)^(qū)的深度，小于所述第二P型柱的深度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述制作器件的柵氧化層、柵極、介質(zhì)層以及金屬層，包括：

在所述器件的表面上依次生長(zhǎng)所述柵氧化層和多晶硅層；

通過(guò)光刻工藝對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行刻蝕，形成所述器件的柵極；

在所述器件的表面上生長(zhǎng)所述介質(zhì)層，并通過(guò)刻蝕工藝對(duì)所述介質(zhì)層和所述柵氧化層進(jìn)行刻蝕，形成位于所述第一P型柱表面上方的第一接觸孔和位于所述第二P型柱表面上方的第二接觸孔；

在所述器件的表面上淀積金屬，形成所述金屬層。