[發明專利]熱電納米復合材料及其制造方法

有效

• 申請號: 201610284977.X
• 申請日: 2016-04-29
• 公開（公告）號: CN106601900B
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 金炳旭;宋京花;李漢賽;郭真佑;呂寅雄;盧水晶;李禹榮;金寬植;曹成味
• 申請（專利權）人: 現代自動車株式會社;延世大學校產學協力團
• 主分類號: H01L35/18
• 分類號: H01L35/18;H01L35/34;C22C30/00;C22C12/00;C22C1/05;B82Y30/00
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;李巍

1.一種熱電納米復合材料，其包括：

包括Mg、Si、Al和Bi的具有n-型半導體特征的基質；和

包括Bi和Mg的納米內含物，

其中所述納米內含物包埋在所述基質中。

2.根據權利要求1所述的熱電納米復合材料，其中所述納米內含物是Bi₂Mg_3±z，

其中0≤z≤0.1。

3.根據權利要求1所述的熱電納米復合材料，其中所述基質是Mg_2-xAl_xSi_1-YBi_Y，

其中0≤x≤0.04，并且0≤y≤0.04。

4.根據權利要求1所述的熱電納米復合材料，其中所述基質是Mg_2-XAl_xSi_1-Y-WBi_YSn_W，

其中0≤x≤0.04，0≤y≤0.04，并且0≤w0.5。

5.根據權利要求1所述的熱電納米復合材料，其中所述納米內含物的平均粒徑為1-500nm。

6.根據權利要求1所述的熱電納米復合材料，其中基于100重量份的所述基質，所述納米內含物的含量為0.1-4.0重量份。

7.根據權利要求6所述的熱電納米復合材料，其中所述基質包括Mg_1.98Al_0.02Si_0.97Bi_0.03，所述納米內含物包括Bi₂Mg₃，所述納米內含物與所述基質的重量比為2.6±0.26％。

8.根據權利要求6所述的熱電納米復合材料，其中所述基質包括Mg_1.98Al_0.02Si_0.97Bi_0.04，所述納米內含物包括Bi₂Mg₃，所述納米內含物與所述基質的重量比為4.0±0.4％。

9.根據權利要求6所述的熱電納米復合材料，其中所述基質包括Mg_1.96Al_0.04Si_0.97Bi_0.03，所述納米內含物包括Bi₂Mg₃，所述納米內含物與所述基質的重量比為1.7±0.17％。

10.根據權利要求6所述的熱電納米復合材料，其中所述基質包括Mg_1.96Al_0.04Si_0.96Bi_0.04，所述納米內含物包括Bi₂Mg₃，所述納米內含物與所述基質的重量比為2.4±0.24％。

11.根據權利要求1所述的熱電納米復合材料，其中基質相與第二相之間的相邊界的密度為350-4200cm²/cm³。

12.根據權利要求1所述的熱電納米復合材料，其中所述納米內含物的粒徑小于所述基質的平均自由程。

13.一種制造熱電納米復合材料的方法，其包括以下步驟：

(a)制備納米復合材料基材粉末；和

(b)對步驟(a)中得到的所述納米復合材料基材粉末進行燒結，以得到熱電納米復合材料，

其中所述熱電納米復合材料包括：

包括Mg、Si、Al和Bi的具有n-型半導體特征的基質；和

包括Bi和Mg的納米內含物。