[發明專利]等離子濺射致冷件晶板鍍膜裝置和致冷件晶板鍍膜方法

在審

• 申請號: 201610284934.1
• 申請日: 2016-05-04
• 公開（公告）號: CN105734509A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 陳磊;陳建民;趙麗萍;錢俊有;張文濤;蔡水占;張會超;王東勝
• 申請（專利權）人: 河南鴻昌電子有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及致冷件生產技術領域的設備和方法，具體地說是等離子濺射致冷件晶板鍍膜裝置和致冷件晶板鍍膜方法。

背景技術

致冷件包括晶粒和瓷板，所述的晶粒主要成分是三碲化二鉍，晶粒是由晶板切割而成的，將晶粒焊接在瓷板上之前需要在晶粒的表面形成一層鍍膜——鎳、鈀或銀層，以便晶粒和瓷板很好地結合。

現有技術中，使用的是熱噴涂裝置將鍍膜材料結合在晶板上的，這樣的裝置具有鍍膜材料（鎳、鈀或銀）浪費嚴重、環保性能差、鎳和晶板結合力量差的缺點。

采用熱噴涂的裝置和方法將鍍膜材料（鎳、鈀或銀）熱熔化并噴涂到晶板上，也具有鍍膜材料浪費嚴重、環保性能差、鍍膜和晶板結合力量差的缺點。

發明內容

本發明的目的就是針對上述缺點，提供一種節省耗材、減少浪費、環保性好、鍍膜和晶板結合力量好的等離子濺射致冷件晶板鍍膜裝置，還提供一種節省耗材、減少浪費、環保性好、鎳和晶板結合力量好的致冷件晶板鍍膜方法。

本發明等離子濺射致冷件晶板鍍膜裝置這樣實現的：等離子濺射致冷件晶板鍍膜裝置，包括機架，在機架上具有傳送裝置，在傳送裝置上面安裝濺射裝置，所述的傳送裝置上具有晶板的放置盤。

進一步地講，所述的濺射裝置具有濺射噴頭，傳送裝置運行，放置盤在濺射噴頭下面運行的時間是2—3S。

進一步地講，所述的濺射裝置外圍還設置有護罩，還有排氣裝置連接護罩。

本發明等離子濺射致冷件晶板鍍膜方法是這樣實現的：將晶板放置在濺射裝置下面進行濺射，濺射的耗材是鎳、鈀或銀，可以形成一層鍍膜的半導體晶板。

較好的技術方案是：濺射的溫度是：1500-1600℃，濺射的時間是：2-3S。

本發明的有益效果是：這樣的致冷件晶板鍍膜裝置可以生產出節省耗材、減少浪費、環保性好、鍍膜和晶板結合力量好的致冷件晶板鍍膜。

這樣的等離子濺射致冷件晶板鍍膜方法具有節省耗材、減少浪費、環保性好、鎳和晶板結合力量好的優點。

附圖說明

圖1是本發明致冷件晶板鍍膜裝置的結構示意圖。

其中：1、機架2、傳送裝置3、濺射裝置4、放置盤5、護罩。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明作進一步的說明。

如圖1所示，等離子濺射致冷件晶板鍍膜裝置，包括機架1，在機架上具有傳送裝置2，在傳送裝置上面安裝濺射裝置3，所述的傳送裝置上具有晶板的放置盤4。

這樣，晶板放置在放置盤上，晶板就用濺射裝置進行濺射，濺射的效果比著熱噴涂的效果更好，也更節省鍍膜材料，實現本發明的目的。

進一步地講，所述的濺射裝置具有濺射噴頭，傳送裝置運行，放置盤在濺射噴頭下面運行的時間是2—3S，即傳送裝置不能太快或太慢，這是對運行裝置和濺射噴頭噴射區域的限定。

進一步地講，所述的濺射裝置外圍還設置有護罩5，還有排氣裝置連接護罩。

實施例1

a、將晶板放置經過熱噴涂，噴涂材料用鎳，形成第一晶板，其利用率達到10%，散落到周圍環境中的鎳為90%,用這樣的晶板制作半導體致冷件，承受能力較差。

實施例2

a、將晶板放置經過等離子濺射，濺射材料用鎳，形成第二晶板，其利用率達到30%，散落到周圍環境中的鎳為70%,用這樣的晶板制作半導體致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的結合力）較好。

實施例3

a、將晶板放置經過等離子濺射，濺射材料用鎳，濺射時間是2S，濺射溫度是1500℃，形成第三晶板，其利用率達到30%，散落到周圍環境中的鎳為70%,用這樣的晶板制作半導體致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的結合力）較好。

實施例4

a、將晶板放置經過等離子濺射，濺射材料用鎳，濺射時間是3S，濺射溫度是1600℃，形成第三晶板，其利用率達到30%，散落到周圍環境中的鎳為70%,用這樣的晶板制作半導體致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的結合力）較好。

實施例5

a、將晶板放置經過等離子濺射，濺射材料用鎳，濺射時間是2.5S，濺射溫度是1560℃，形成第三晶板，其利用率達到30%，散落到周圍環境中的鎳為70%,用這樣的晶板制作半導體致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的結合力）最好。

將上述的鎳換成銀或鈀，得到同樣的結果，證明等離子濺射半導體晶板是可行的，并具有節省材料、減少污染、增加鍍膜和晶板之間的結合力的優點。

以上所述僅為本發明的具體實施例，但本發明的結構特征并不限于此，任何本領域的技術人員在本發明的領域內，所作的變化或修飾皆涵蓋在本發明的專利范圍內。