[發(fā)明專利]磁控濺射致冷件晶板鍍膜裝置和致冷件晶板鍍膜方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610284932.2
• 申請(qǐng)日: 2016-05-04
• 公開（公告）號(hào): CN105734515A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳磊;陳建民;趙麗萍;錢俊有;張文濤;蔡水占;張會(huì)超;王東勝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 河南鴻昌電子有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.磁控濺射致冷件晶板鍍膜裝置，其特征是:包括機(jī)架，在機(jī)架上具有傳送裝置,在傳送裝置上面安裝磁控濺射裝置，所述的傳送裝置上具有晶板的放置盤。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射致冷件晶板鍍膜裝置，其特征是：所述的機(jī)架上還具有晶板的送料斗和鍍膜后成品的收集斗。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁控濺射致冷件晶板鍍膜裝置，其特征是：所述的機(jī)架上還設(shè)置有晶板的檢測(cè)裝置。

4.磁控濺射致冷件晶板鍍膜方法，將晶板放置在磁控濺射裝置里面下面進(jìn)行鍍膜，鍍膜的耗材是鎳、鈀或銀，可以形成一層鍍膜的半導(dǎo)體晶板。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的致冷件晶板鍍膜方法，其特征是：濺射的條件是加速電壓:350～410V、電流密度:30～50mA/cm、氣壓:7～12mTorr、磁場(chǎng)約:200～220G、功率密度:50～60W/cm。