[發明專利]像素陣列及其制造方法和有機發光二極管陣列基板有效
| 申請號: | 201610284035.1 | 申請日: | 2016-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN105789261B | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發明(設計)人: | 杜小波 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所11105 | 代理人: | 彭久云,李穎 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 陣列 及其 制造 方法 有機 發光二極管 | ||
技術領域
本公開涉及顯示技術領域,尤其涉及一種像素陣列及其制造方法和有機發光二極管陣列基板。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,即OLED)器件的發光結構包括一對電極以及有機發光層。當施加直流電壓時,空穴從陽極注入有機發光層,電子從陰極注入有機發光層,電子和空穴在發光層中結合放出能量,激發有機發光材料分子形成激發態分子,當激發態分子回到基態時,便會放出光子而發光。
OLED顯示屏的制作方法有許多種,其中OLED蒸鍍技術是通過將有機發光材料蒸發并且透過高精度金屬掩模版(Fine Metal Mask,FMM)在陣列基板上對應像素的位置形成有機發光器件。每個像素(pixel)包含有紅,綠,藍(R,G,B)子像素,每個子像素呈四邊形,每個子像素都具有獨立的有機發光器件。
由于掩模版的開口面積有規格下限,以及為了避免制作過程中的公差(tolerance)影響,相鄰像素的開口之間需要預留足夠的間隙(gap)而導致像素密度無法大幅提升。而且,不同顏色的子像素由不同的掩模版制成,其排布密度不能提高,因此分辨率也無法提高。而且,由于蒸鍍有“陰影效應”,兩個發光區之間還要有一定的間隔以防止混色,因此Mask開口不能做的很小。
發明內容
本公開第一方面提供了一種像素陣列,包括多個像素,其中,每個像素包括四個子像素,所述四個子像素的大小彼此相同并且形狀均為等腰梯形,所述四個子像素被排布成正六邊形的一半的形式。
本公開第二方面提供了一種有機發光二極管陣列基板,包括有機發光層,其中有機發光層具有上述像素陣列。
本公開第三方面提供了一種制造上述像素陣列的方法,包括采用同一個掩模版制作四種子像素圖案,所述四種子像素圖案中至少三種子像素圖案的顏色彼此不同。
附圖說明
為了更清楚地說明本公開實施例的技術方案,下面將對實施例的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅涉及本公開的一些實施例,而非對本公開的限制。
圖1示意性示出了根據本公開實施例的像素陣列;
圖2示意性示出了圖1的像素陣列的局部放大圖;
圖3示意性示出了圖1的像素陣列中的兩個像素;
圖4示意性示出了圖1的像素陣列的局部放大圖;
圖5示意性示出了根據本公開實施例的掩模版;
圖6示意性示出了根據本公開實施例的紅色子像素圖案;
圖7示意性示出了根據本公開實施例的綠色子像素圖案;
圖8和圖9示意性示出了根據本公開實施例的藍色子像素圖案;
圖10示意性示出了本公開實施例的像素陣列的制造方法的流程圖。
具體實施方式
為使本公開實施例的目的、技術方案和優點更加清楚,下面將結合本公開實施例的附圖,對本公開實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然,所描述的實施例是本公開的一部分實施例,而不是全部的實施例?;谒枋龅谋竟_的實施例,本領域普通技術人員在無需創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本公開保護的范圍。
除非另作定義,此處使用的技術術語或者科學術語應當為本公開所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開專利申請說明書以及權利要求書中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性,而只是用來區分不同的組成部分。同樣,“一個”或者“一”等類似詞語也不表示數量限制,而是表示存在至少一個?!鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵蓋出現在“包括”或者“包含”后面列舉的元件或者物件及其等同,并不排除其他元件或者物件?!斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接,而是可以包括電性的連接,不管是直接的還是間接的。“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關系,當被描述對象的絕對位置改變后,則所述相對位置關系也可能相應地改變。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





