[發明專利]一種反應離子束選擇性刻蝕磁性隧道結雙層硬掩模的方法有效
| 申請號： | 201610283992.2 | 申請日： | 2016-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN107331769B | 公開（公告）日： | 2020-10-27 |
| 發明（設計）人： | 張云森 | 申請（專利權）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/12 | 分類號： | H01L43/12;C23F4/00 |
| 代理公司： | 上海容慧專利代理事務所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于曉菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 反應 離子束 選擇性 刻蝕 磁性 隧道 雙層 硬掩模 方法 | ||
1.一種反應離子束選擇性刻蝕磁性隧道結雙層硬掩模的方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S1：提供包括磁性隧道結多層膜的襯底；
步驟S2：在所述襯底上依次形成鉭膜層和硅化合物膜層，所述硅化合物膜層是指SiN膜層或SiO2膜層；
步驟S3：圖形化轉移磁性隧道結圖案到所述硅化合物膜層，使用光刻膠和有機抗反射層完成對所述磁性隧道結圖案的圖形化定義；
步驟S4：采用CF4干刻蝕所述硅化合物膜層，轉移磁性隧道結圖案到所述鉭膜層；
步驟S5：采用氧氣干刻蝕除去殘留的所述光刻膠和所述有機抗反射層；
步驟S6：以所述SiN膜層為掩模，采用CHF3/N2對所述SiN膜層和所述鉭膜層進行選擇性刻蝕，以形成具有所述磁性隧道結圖案的雙層硬掩模；或者，以所述SiO2膜層為掩模，采用CHF3/O2對所述SiO2膜層和所述鉭膜層進行選擇性刻蝕，以形成具有所述磁性隧道結圖案的雙層硬掩模。
2.如權利要求1所述一種反應離子束選擇性刻蝕磁性隧道結雙層硬掩模的方法，其特征在于，所述磁性隧道結多層膜的厚度為15～40nm。
3.如權利要求1所述一種反應離子束選擇性刻蝕磁性隧道結雙層硬掩模的方法，其特征在于，所述鉭膜層的厚度為50～200nm，所述硅化合物膜層的厚度為50～150nm。
4.如權利要求1所述一種反應離子束選擇性刻蝕磁性隧道結雙層硬掩模的方法，其特征在于，所述光刻膠的厚度為90～250nm，所述有機抗反射層的厚度為30～100nm。
5.如權利要求1所述一種反應離子束選擇性刻蝕磁性隧道結雙層硬掩模的方法，其特征在于，所述CHF3的流量范圍為0～50sccm。
6.如權利要求1所述一種反應離子束選擇性刻蝕磁性隧道結雙層硬掩模的方法，其特征在于，所述N2的流量范圍為0～150sccm。
7.如權利要求1所述一種反應離子束選擇性刻蝕磁性隧道結雙層硬掩模的方法，其特征在于，所述CHF3/N2混合氣體中CHF3的含量為1～10％。
8.如權利要求1所述一種反應離子束選擇性刻蝕磁性隧道結雙層硬掩模的方法，其特征在于，所示O2的流量范圍為0～150sccm。
9.如權利要求1所述一種反應離子束選擇性刻蝕磁性隧道結雙層硬掩模的方法，其特征在于，所述CHF3/O2混合氣體中CHF3的含量為1～10％。
10.如權利要求1所述一種反應離子束選擇性刻蝕磁性隧道結雙層硬掩模的方法，其特征在于，干刻蝕雙層硬掩模所采用的壓強為10～60mT。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海磁宇信息科技有限公司，未經上海磁宇信息科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610283992.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
