[發明專利]一種磁性隧道結雙層導電硬掩模的刻蝕方法在審
| 申請號: | 201610283991.8 | 申請日: | 2016-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN107331768A | 公開(公告)日: | 2017-11-07 |
| 發明(設計)人: | 張云森 | 申請(專利權)人: | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L43/12 | 分類號: | H01L43/12 |
| 代理公司: | 上海容慧專利代理事務所(普通合伙)31287 | 代理人: | 于曉菁 |
| 地址: | 201800 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 磁性 隧道 雙層 導電 硬掩模 刻蝕 方法 | ||
1.一種磁性隧道結雙層導電硬掩模的刻蝕方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟S1:提供包括磁性隧道結多層膜的襯底;
步驟S2:在所述襯底上依次形成鉭膜層和氮化鈦膜層;
步驟S3:圖形化轉移磁性隧道結圖案到所述氮化鈦膜層,使用光刻膠和有機抗反射層完成對所述圖案的圖形化定義;
步驟S4:采用Cl2/CH4混合氣體干刻蝕所述氮化鈦膜層,使所述圖案轉移到所述鉭膜層;
步驟S5:采用HCl/He/O2對所述氮化鈦膜層和所述鉭膜層進行選擇性刻蝕,以完成對雙層導電硬掩模的圖案化;
步驟S6:采用氧氣灰化工藝除去多余的所述光刻膠和所述有機抗反射層。
2.根據權利要求1所述的一種磁性隧道結雙層導電硬掩模的刻蝕方法,其特征在于,所述磁性隧道結多層膜的厚度為15~40nm。
3.根據權利要求1所述的一種磁性隧道結雙層導電硬掩模的刻蝕方法,其特征在于,所述鉭膜層的厚度為50~200nm,所述氮化鈦膜層的厚度為20~100nm。
4.根據權利要求1所述的一種磁性隧道結雙層導電硬掩模的刻蝕方法,其特征在于,所述有機抗反射層的厚度為30~100nm,所述光刻膠的厚度為90~250nm。
5.根據權利要求1所述的一種磁性隧道結雙層導電硬掩模的刻蝕方法,其特征在于,所述HCl的流量范圍為0~60sccm。
6.根據權利要求1所述的一種磁性隧道結雙層導電硬掩模的刻蝕方法,其特征在于,所述He的流量范圍為0~140sccm。
7.根據權利要求1所述的一種磁性隧道結雙層導電硬掩模的刻蝕方法,其特征在于,所述O2的流量范圍為0~5sccm。
8.根據權利要求1所述的一種磁性隧道結雙層導電硬掩模的刻蝕方法,其特征在于,所述HCl/He/O2混合氣體中HCl的含量為20~40%。
9.根據權利要求1所述的一種磁性隧道結雙層導電硬掩模的刻蝕方法,其特征在于,所述HCl/He/O2混合氣體中O2的含量為0.0~2.0%。
10.根據權利要求1所述的一種磁性隧道結雙層導電硬掩模的刻蝕方法,其特征在于,干刻蝕雙層硬掩模所采用的壓強為20~60mT。
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