[發明專利]一種碳化硅基復合材料表面SiC涂層的制備方法有效
| 申請號： | 201610282651.3 | 申請日： | 2016-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN105948822B | 公開（公告）日： | 2018-06-19 |
| 發明（設計）人： | 龔曉冬;李軍平;張國兵;孫新;常京華;馮志海 | 申請（專利權）人： | 航天材料及工藝研究所;中國運載火箭技術研究院 |
| 主分類號： | C04B41/87 | 分類號： | C04B41/87 |
| 代理公司： | 中國航天科技專利中心 11009 | 代理人： | 張麗娜 |
| 地址： | 100076 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 熔體 制備 碳化硅基復合材料 復合材料 熔滲 復合材料表面 復合材料包 高溫熱處理 表面殘渣 高溫真空 過量碳源 氧化防護 包覆 包埋 硅粉 基材 去除 平整 | ||
【權利要求書】：
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