[發明專利]一種Cu摻雜Fe?N軟磁薄膜及其制備方法有效
| 申請號： | 201610279081.2 | 申請日： | 2016-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN105761878B | 公開（公告）日： | 2018-03-20 |
| 發明（設計）人： | 陳瑾梅;張旭海;董巖;何美平;陳龍;楊星梅;莫丹;曾宇喬;蔣建清 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | H01F10/18 | 分類號： | H01F10/18;H01F1/34;H01F41/18 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙)32204 | 代理人： | 張華蒙 |
| 地址： | 210096 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 cu 摻雜 fe 薄膜 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種Cu摻雜Fe-N軟磁薄膜的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
1)用丙酮、酒精超聲清洗襯底材料，用氮氣吹干得到樣品，將樣品裝入樣品托，確認牢固后，裝入濺射室；
2)將濺射室真空度抽至10-5Pa，按照流量比Ar：N2＝30:(0.25～1.25)的比例向濺射室通入Ar和N2的混合氣體；
3)打開射頻電源和直流電源，控制Fe靶射頻濺射功率為100-200W，直流濺射功率為30-60W，起輝；
4)確定輝光穩定后，調節工作氣壓為0.5Pa，預濺射5～10min，去除靶材表面的雜質，露出新鮮的靶材表面；
5)預濺射結束后，控制樣品托的公轉，將樣品從非濺射區移動到Fe靶的正上方，進行薄膜沉積；施加偏壓0～-50V，濺射時間為5～10min，獲得Cu摻雜Fe-N軟磁薄膜；
其中，Cu摻雜Fe-N軟磁薄膜化學通式如下式(I)：
(Fe100-yNy)100-xCux(I)；
其中，y＝25～40，x＝9～18；該Cu摻雜Fe-N軟磁薄膜的矯頑力≤10Oe，飽和磁化強度≥1200emu/cc；步驟1)中，Fe靶和Cu靶在濺射室內部均是直立放置，Cu原子利用散射的方式進行摻雜；步驟1)中，樣品以15r/min的速度進行自轉。
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