[發(fā)明專利]浪涌電流控制電路及供電裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610278917.7 | 申請日: | 2016-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN105762781B | 公開(公告)日: | 2019-04-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王博;劉勝利 | 申請(專利權(quán))人: | 昆山龍騰光電有限公司 |
| 主分類號: | H02H9/02 | 分類號: | H02H9/02 |
| 代理公司: | 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡純;熊亮 |
| 地址: | 215301 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 浪涌 電流 控制電路 供電 裝置 | ||
本發(fā)明公開了一種浪涌電流控制電路,包括第一至第三電容、第一至第四電阻、雙極性晶體管和場效應(yīng)晶體管,第一電容和第二電容均連接在信號輸入端和接地端之間;第三電容和第四電阻串聯(lián)連接在信號輸入端和接地端之間;雙極性晶體管的基極通過第三電阻與第三電容和第四電阻之間的公共點連接,發(fā)射極通過第二電阻和第一電阻與信號輸入端連接,集電極與接地端連接;場效應(yīng)晶體管的柵極與第一電阻和第二電阻之間的公共點連接,源極與信號輸入端連接,漏極與信號輸出端連接。本發(fā)明還提供了一種供電裝置,通過電阻電容網(wǎng)絡(luò)控制雙極性晶體管工作在飽和區(qū),進而控制場效應(yīng)晶體管工作在可變電阻區(qū),使輸出端的電源信號緩慢上升,大大減小上電的浪涌電流。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于顯示器測試領(lǐng)域,更具體地,涉及一種浪涌電流控制電路及供電裝置。
背景技術(shù)
目前對于大多數(shù)DC-DC開關(guān)電源,在開機的瞬間,會在其供電母線上產(chǎn)生一個很大的電流,也就是通常所說的浪涌電流。浪涌電流的產(chǎn)生不僅對電路中的元器件帶來很大的瞬時應(yīng)力,造成元器件受損,還會對掛接在同一供電母線上的其他用電設(shè)備(如液晶顯示面板等負載)產(chǎn)生較大的瞬時干擾。因此對DC-DC開關(guān)電源的浪涌電流加以控制,是十分必要的。
目前為了控制浪涌電流常在儲能原件的前端采用浪涌電流控制電路。圖1為現(xiàn)有技術(shù)的浪涌電流控制電路的電路原理圖。圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)的浪涌電流控制電路的輸出信號的波形圖。如圖1所示,所述浪涌電流控制電路由一個雙極性晶體管Q11、一個場效應(yīng)晶體管Q12、第一電容C11、第二電容C12、第一電阻R11、第二電阻R12、第三電阻R13、第四電阻R14、第五電阻R15以及一個二極管Q13組成,第四電阻R14和第五電阻R15串聯(lián)連接在信號輸出端和接地端之間,第一電容C11和第二電容C12并聯(lián)連接在信號輸出端和接地端之間,雙極性晶體管Q11的發(fā)射極通過第一電阻R11和第二電阻R12與信號輸出端連接,集電極與接地端連接,基極與第四電阻R14和第五電阻R15之間的公共點連接;場效應(yīng)晶體管Q12的柵極與第一電阻R11和第二電阻R12之間的公共點連接,源極與信號輸入端連接,漏極與信號輸出端連接;第三電阻R13和二極管Q13串聯(lián)連接在場效應(yīng)晶體管Q12的柵極和漏極之間。系統(tǒng)上電后,電路對第一電容C11和第二電容C12充電,電壓逐漸上升,直到雙極性晶體管Q11打開,進而場效應(yīng)晶體管Q12打開,后端系統(tǒng)開始工作。在實際應(yīng)用中,由于上電瞬間電流較大,第三電阻R13經(jīng)常燒毀;或負載過大時,電路停止工作。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種浪涌電流控制電路及供電裝置。
根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供一種浪涌電流控制電路,包括第一電容、第二電容、第三電容、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、雙極性晶體管和場效應(yīng)晶體管,其中,第一電容連接在信號輸入端和接地端之間;第二電容連接在信號輸入端和接地端之間;第三電容和第四電阻串聯(lián)連接在信號輸入端和接地端之間;所述雙極性晶體管的基極通過第三電阻與所述第三電容和第四電阻之間的公共點連接,發(fā)射極通過第二電阻和第一電阻與信號輸入端連接,集電極與接地端連接;所述場效應(yīng)晶體管的柵極與所述第一電阻和第二電阻之間的公共點連接,源極與信號輸入端連接,漏極與信號輸出端連接。
優(yōu)選地,上電過程中的上升斜率由第三電容和第四電阻控制。
優(yōu)選地,所述第三電容和第四電阻控制雙極性晶體管工作在飽和區(qū)。
優(yōu)選地,所述第一電阻、第二電阻以及工作在飽和區(qū)的雙極性晶體管控制所述場效應(yīng)晶體管工作在可變電阻區(qū)。
優(yōu)選地,工作在可變電阻區(qū)的場效應(yīng)晶體管的阻值逐漸減小,信號輸出端的電源信號上升斜率降低。
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