[發(fā)明專利]外延設(shè)備腔室蓋板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610278900.1 | 申請日: | 2016-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN107331634A | 公開(公告)日: | 2017-11-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 季文明;林志鑫;劉源;保羅·邦凡蒂 | 申請(專利權(quán))人: | 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/20 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237 | 代理人: | 金華 |
| 地址: | 201306 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 外延 設(shè)備 蓋板 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造設(shè)備,特別涉及一種外延設(shè)備腔室蓋板。
背景技術(shù)
目前,外延設(shè)備的溫度測量主要采用熱電阻(Thermal-couple,TC)進(jìn)行測量,將熱電阻放置在外延設(shè)備腔體的規(guī)定位置進(jìn)行溫度測量,這種測量方法測量外延腔室的溫度只能抽測幾個位置的溫度,無法準(zhǔn)確測量外延腔體內(nèi)所有區(qū)域的溫度分布。
并且,由于熱電阻為耗材,每次設(shè)備維護(hù)保養(yǎng)(PM)時都需要更換四根熱電阻,熱電阻的價格昂貴且使用量較大,并且使用過程中會出現(xiàn)TC漏的意外,影響外延層的質(zhì)量,污染外延基臺。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種外延設(shè)備腔室蓋板,通過使用可移動的紅外測溫裝置替換目前使用的熱電阻測溫,能夠測量整個晶圓內(nèi)的溫度分布,降低維護(hù)成本。
本發(fā)明的技術(shù)方案是一種外延設(shè)備腔室蓋板,放置于外延設(shè)備腔室的上部,一部分所述蓋板為透明材質(zhì),在所述蓋板上形成可視窗口,紅外測溫裝置的探頭能夠在所述可視窗口上自由移動,測量所述腔室內(nèi)晶圓的溫度。
進(jìn)一步的,在所述外延設(shè)備腔室蓋板中,所述透明材質(zhì)為石英。
進(jìn)一步的,在所述外延設(shè)備腔室蓋板中,所述可視窗口為長方形,位于所述蓋板的中間位置。
進(jìn)一步的,在所述外延設(shè)備腔室蓋板中,所述可視窗口在所述蓋板上水平設(shè)置。
進(jìn)一步的,在所述外延設(shè)備腔室蓋板中,所述可視窗口位于所述蓋板豎直 方向上的中間位置,且在水平方向上貫穿所述蓋板。
進(jìn)一步的,在所述外延設(shè)備腔室蓋板中,所述可視窗口位于所述蓋板豎直方向上的中間位置,且位于所述蓋板的左半側(cè)或右半側(cè)。
進(jìn)一步的,在所述外延設(shè)備腔室蓋板中,所述可視窗口在所述蓋板上豎直設(shè)置。
進(jìn)一步的,在所述外延設(shè)備腔室蓋板中,所述可視窗口位于所述蓋板水平方向上的中間位置,且在豎直方向上貫穿所述蓋板。
進(jìn)一步的,在所述外延設(shè)備腔室蓋板中,所述可視窗口位于所述蓋板水平方向上的中間位置,且位于所述蓋板的上半側(cè)或下半側(cè)。
進(jìn)一步的,在所述外延設(shè)備腔室蓋板中,所述可視窗口的寬度為1mm~50mm。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供的外延設(shè)備腔室蓋板,通過將腔室蓋板的一部分設(shè)置為透明材質(zhì),在蓋板上形成可視窗口,從而采用紅外測溫裝置替換目前使用的熱電阻測溫,紅外測溫裝置的探頭在所述可視窗口上自由移動,能夠測量整個晶圓內(nèi)的溫度分布,降低設(shè)備維護(hù)成本,使得維護(hù)簡單方便,且不影響外延設(shè)備的穩(wěn)定性。
附圖說明
圖1為本發(fā)明一實施例所提供的外延設(shè)備腔室蓋板的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本發(fā)明一實施例所提供的外延設(shè)備的截面圖。
圖3為本發(fā)明一實施例所提供的外延設(shè)備腔室蓋板的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4為本發(fā)明一實施例所提供的外延設(shè)備腔室蓋板的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5為本發(fā)明一實施例所提供的外延設(shè)備腔室蓋板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂,以下結(jié)合說明書附圖,對本發(fā)明的內(nèi)容做進(jìn)一步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實施例,本領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
其次,本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)的表述,在詳述本發(fā)明實例時,為了 便于說明,示意圖不依照一般比例局部放大,不應(yīng)對此作為本發(fā)明的限定。
本發(fā)明的核心思想是:通過將腔室蓋板的一部分設(shè)置為透明材質(zhì),在蓋板上形成可視窗口,從而采用紅外測溫裝置替換目前使用的熱電阻測溫,紅外測溫裝置的探頭在所述可視窗口上自由移動,能夠測量整個晶圓內(nèi)的溫度分布,降低設(shè)備維護(hù)成本,使得維護(hù)簡單方便,且不影響外延設(shè)備的穩(wěn)定性。
圖1為本發(fā)明一實施例所提供的外延設(shè)備的腔室蓋板的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖1所示,本發(fā)明提出一種外延設(shè)備的腔室蓋板100,放置于外延設(shè)備腔室的上部,一部分所述蓋板為透明材質(zhì),在所述蓋板100上形成可視窗口101,紅外測溫裝置的探頭能夠在所述可視窗口101上自由移動,如圖中箭頭所示,從而探測到腔室內(nèi)部晶圓的溫度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
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