[發明專利]一種氮化物發光二極管

有效

• 申請號: 201610276668.8
• 申請日: 2016-04-29
• 公開（公告）號: CN105742438B
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發明（設計）人: 鄭錦堅;鐘志白;楊煥榮;杜偉華;廖樹濤;李智杰;伍明躍;周啟倫;林峰;李水清;康俊勇
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種氮化物發光二極管，依次包括襯底，N型氮化物，多量子阱，V-pits，n型摻雜溝道區域，局域無摻雜區域，V-pits的局域電子阻擋層，P型氮化物，以及 P型接觸層，其特征在于：所述多量子阱區域的V-pits兩側具有局域無摻雜區域，V-pits兩側局域無摻雜區域上方生長納米尺度的局域電子阻擋層，通過定位摻雜使V-pits和V-pits之間形成量子級別的n型摻雜溝道區域，阻止電子和空穴泄漏至V-pits，降低非輻射復合。

2.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述n型摻雜溝道區域通過定位摻雜形成于V-pits與V-pits之間，使得電子和空穴局限在此區域進行躍遷和復合，提升載流子的復合效率并改善電流的橫向及縱向擴展，提升發光強度和改善ESD。

3.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述V-pits兩側局域無摻雜區域的上方生長納米尺度的局域電子阻擋層，用于阻擋熱電子和空穴泄漏至V-pits，進一步降低非輻射復合，提升發光強度，并改善漏電。

4.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述n型溝道區域的大小為50nm~1000nm，摻雜濃度為1E17~1E20cm^-3。

5.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述局域無摻雜區域的大小為50nm~1000nm，背景載流子濃度為1E15~1E17cm^-3。

6.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述多量子阱區域的V-pits的大小為50~500 nm。

7.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述局域電子阻擋層的材料為Al_xGa_1-xN，其中0≤x≤1，尺寸大小為50~500nm。

8.根據權利要求1所述的一種氮化物發光二極管，其特征在于：所述襯底為藍寶石、碳化硅、硅、氮化鎵、氮化鋁、氧化鋅適合外延生長的襯底。